模拟CMOS集成电路设计

2013-07-26 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:
主题图书: CMOS集成电路设计
定价: ¥ 32
作者: 魏廷存,陈莹梅,胡正飞 编著
出版: 清华大学出版社
书号: 9787302211464
语言: 简体中文
日期: 2010-03-01
版次: 1 页数: 304
开本: 16开 查看: 0
模拟CMOS集成电路设计

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图书介绍

本书是作者结合自己多年的科研实践,在参考国内外同类教材的基础上,精心编著而成的。本书结合现代CMOS工艺的发展,从元器件出发,详细分析了各种典型模拟CMOS集成电路的工作原理和设计方法,对模拟CMOS集成电路的研究和设计具有学术和工程实用价值。
  全书共分10章,其中前6章介绍CMOS元器件和基本单元电路的基础知识,后4章介绍它们的典型应用,包括开关电容电路、ADC与DAC、振荡器以及锁相环。
  本书可供微电子与集成电路设计专业的研究生以及高年级本科生作为教材使用(大约需要60学时),也可供模拟集成电路设计工程师参考。
  本书的读者应具备电路和信号方面的基础知识,如果读者还具备半导体物理方面的知识,则更容易理解本书的内容。

图书目录

第1章 绪论
 1.1 集成电路的发展历史及趋势
 1.2 模拟集成电路的功能及应用领域
 1.3 模拟集成电路与数字集成电路的比较
 1.4 模拟集成电路的设计流程
 1.5 HSpice仿真简介
 本章小结
第2章 元器件及其模型
 2.1 pn结与二极管
  2.1.1 pn结的形成
  2.1.2 pn结的特性
  2.1.3 二极管
 2.2 双极型晶体管
  2.2.1 结构及工艺实现
  2.2.2 基本工作原理
  2.2.3 大信号模型
  2.2.4 小信号模型
 2.3 CMOS器件
  2.3.1 物理结构
  2.3.2 电路符号
  2.3.3 工作原理
  2.3.4 大信号模型
  2.3.5 二级效应
  2.3.6 寄生电容
  2.3.7 小信号模型
  2.3.8 闩锁效应
  2.3.9 传输门电路
 2.4 电阻
  2.4.1 方块电阻
  2.4.2 多晶硅电阻
  2.4.3 阱电阻
  2.4.4 扩散电阻
  2.4.5 金属电阻
  2.4.6 电阻模型
 2.5 电容器
  2.5.1 电容器的结构
  2.5.2 传统电容器
  2.5.3 CMOS电容
  2.5.4 金属金属电容器
  2.5.5 电容模型
 本章小结
 习题
 参考文献
第3章 单级放大器
 3.1 电流镜
  3.1.1 电流镜的结构
  3.1.2 电流镜的误差
  3.1.3 电流镜的小信号等效电路
 3.2 共源放大器
  3.2.1 电阻负载共源放大器
  3.2.2 二极管负载共源放大器
  3.2.3 电流镜负载共源放大器
  3.2.4 推挽放大器
 3.3 源极跟随器
 3.4 共栅放大器
 3.5 高输出阻抗电流镜
 3.6 共源共栅放大器
 3.7 差动放大器
  3.7.1 电阻负载差动放大器
  3.7.2 有源负载差动放大器
  3.7.3 单端输出差动放大器
 3.8 放大器的频率特性
  3.8.1 共源放大器
  3.8.2 源极跟随器
  3.8.3 共源共栅放大器
  3.8.4 差动放大器
 本章小结
 习题
 参考文献
第4章 运算放大器
第5章 基准电压与电流
第6章 噪声
第7章 开关电容电路
第8章 数据转换器
第9章 振荡器
第10章 锁相环
附录 CMOS工艺技术  

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