基于IHP锗硅BiCMOS技术高频、高速的设计培训

2017-11-16 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:
主题活动: BiCMOS
主办单位: IHP、HK Microsystem
举办时间: 2017年12月11-12日
举办地址: 北京
关注次数: 0
报名网站: http://url.mwrf.net/mrfgo.do?MRFID=1519
基于IHP锗硅BiCMOS技术高频、高速的设计培训

活动介绍

一、 为什么参加

由于移动通信、蓝牙、wifi、gps、北斗等无线应用的普及,较低频段的频谱已经非常拥挤。迫使包括5G通讯和下一代wifi向更高频率转移,再加上传统微波毫米波频段的通讯(地面、卫星、点对点等)、雷达、成像、安检等应用,高频无线应用和太赫兹应用已经成为目前研究的重点。此外,有线通讯也得到了快速发展,如400Gb/S的光传输、10Gb/S的光纤入户、以及其他超宽带超高速应用等。

锗硅BiCMOS技术在拥有传统的CMOS器件的同时,集成了高速的异质结双极晶体管(HBT)。该技术的成本近似于传统CMOS,而高频性能却接近三五族技术。德国创新高性能研究所IHP一直致力于锗硅BiCMOS及其附加技术的研究,例如硅基光电单片集成技术(EPIC)、RFMEMS、TSV、锗硅BiCMOS集成磷化铟技术等世界领先的处理工艺和技术。目前IHP拥有全世界最快的锗硅技术,其HBT的截止频率fmax可达700GHz,已经成熟并商用的工艺也高达500GHz。

本次培训IHP派出PDK技术开发负责人和锗硅BiCMOS技术支持负责人担任主讲,包含以下内容:

内容一、讲解并上机实践锗硅BiCMOS PDK的特点、使用方法、安装方法等。

内容二、讲解并上机练习模拟/射频cadence设计流程, 如原理图、仿真、版图、DRC、LVS等。可以使初学者快速掌握从原理图到最终流片版图的完整流程。

内容三、讲解并上机练习如何进行电/热仿真,确认芯片温度分布梯度,三极管核心温度等,对于避免芯片热烧毁、提高芯片的寿命和稳定性等非常重要。避免热烧毁和降低结温是一直困扰芯片设计人员的难题,一般只能靠经验判定,IHP是首家提供基于电信号进行热仿真解决方案的锗硅厂家。

内容四、讲解并上机练习如何使用ADS和cadence进行交互式设计。比如ADS中设计的原理图,无源结构和高频版图等可以直接被cadence使用,无需重复输入,节省时间、避免出错。同理cadence的设计也可在ADS环境中直接打开,可以提高整个设计团队的工作效率。

二、 谁应该参加

这次培训主要针对一线的模拟IC和射频IC设计人员,包括工业界的研发人员、科研人员(高校研究所等)、在读学生等(硕士博士等)。企业和研究机构的项目管理人员,比如雷达、无线通讯、成像、安检、光电集成芯片等方向的项目。我们也欢迎企业高管能参与并洽谈引进IHP锗硅BiCMOS技术或晶圆厂间合作等事宜,促进国内锗硅工艺技术的发展,实现高端制造的国产化。

三、培训安排

培训时间:2017年12月11-12日 (2天)
报到时间:2017年12月11日,上午8:30-9:30
培训地点:北京市朝阳区北土城西路3号中科院EDA中心培训教室

四、培训注册费用

由于本次培训教室的电脑数量有限,每台电脑最多两个人,建议想参加的单位及人员尽早报名。

本次培训的收费标准为4000元/人(包含授课费、场地租用费、服务器电脑租用费、ADS/cadence软件培训授权费、资料费、培训期间的午餐和茶歇饮品等),其余交通、食宿等费用由会员自理。

老师和学生报名可享受优惠价:老师:3500,学生:3000.

请于2017年12月5日前将注册费汇至:

户名:南京问智微电子有限公司
开户行:工商银行江宁经济开发区支行
账号:4301021119100315972

五、培训报名方式

请各单位收到通知后,积极选派人员参加。

下载“报名注册表”

报名截止日期2017年12月5日,请在此日期前将报名回执发送email到:n.xie@hk-microsystem.com

联系电话:025-5277 2077;153 6508 8509

六、课程具体安排

第一天:2017年12月11日(星期一)

9:30–9:40 Opening Remarks
开课致辞

9:40–10:05 Design Kit Installation
详细讲解Cadence PDK的数据结构、内容以及安装方法和具体linux指令等

10:05–11:00 Design Kit Elements and Features (Part1)
PDK元素和特点(一)。详细讲解PDK中元素在原理图、版图中的形式和使用方法。并通过简单的电路设计实例完成从原理图到后仿和gds文件生成的全部cadence设计流程。

11:15–12:30 Design Kit Elements and Features (Part2)
PDK元素和特点(二)。继续上一节。期间会不断穿插上机实践内容,通过简单的设计学习完整的cadence设计流程。

13:30–15:00 Design and Simulation of a 500GHz Push-Push Oscillator in Cadence Environment
在cadence环境中500GHz推-推谐波振荡器的设计和仿真。基于上一节的cadence设计流程,针对太赫兹研究的快速发展,演示硅基太赫兹电路的设计、仿真、到最后版图等一整套高频设计流程,并在讲解过程中穿插上机实践内容,加深巩固学习效果。

15:00–16:00 How to install IHP PDKs for ADS
讲解如何正确安装ADS PDK

16:20–17:30 RFIC Virtuoso interoperability
ADS RFIC和cadence Virtuoso的交互式设计。讲解什么是交互式设计,如何在ADS中使用cadence库、需要的环境设置等。通过一个低噪声放大器的设计实例,详细讲解如何实现ADS和cadence的交互式设计方法。中间会穿插上机实践内容,学员有机会了解整个工作环境,感受交互式设计的方便性和灵活性等。

第二天:2017年12月12日 (星期二)

9:00 - 11:00 Electro Thermal Simulation
电/热仿真。讲解如何实现电、热同时仿真的原理和实现过程,让电路设计人员在设计的初期就能了解芯片版图布局、散热能力等是否合理,以及由于电路工作时发热造成的性能下降。通过一个低噪声放大器的实例讲解如何热仿真、画出热分布梯度图、判定管心的核心温度等,期间学员会动手实践整个热仿真设置和过程。

11:20-11:50 PDK Documentation
讲解PDK文档的使用方法。

11:50-12:30 MPW Organization, Tape-in Procedure
介绍锗硅BiCMOS的多项目晶圆的组织情况和具体流片过程。

13:30-14:00 Design Kit Support
PDK的技术支持途径和方法。

14:00-14:20 Pack up
总结

14:00-17:30 Questions, discussions and further practices
提问、讨论和练习所学内容。由于培训人员是IHP PDK的技术负责人,可针对本次培训内提问,也可以针对使用IHP PDK的过程中碰到的问题提问。讨论范围可以较宽,例如技术转移、未来锗硅发展方向、对我们的意见建议等。 对于初学者而言,可以利用这段时间温习一下本次培训的内容。

七、授课专家简介


Anton Datsuk博士
IHP ADS PDK技术开发负责人

2004年毕业于电子技术国家研究大学(莫斯科)(National Research University of Electronic Technology),计算机和电子工程专业。随后加入Cadence公司,期间负责开发了很多cadence的PV工具,例如Dracula,Assura和PVS等。2007年受邀到飞思卡尔半导体(freescale)开发数字库,主要负责数字库的建模、验证和数字库的更新换代等。

2013年他受聘于德国创新高性能研究所IHP,作为ADS PDK的技术开发负责人。Datsuk博士多年来一直从事最前沿的半导体仿真工具和PDK的开发,积累了丰富的仿真设计经验。


Wolfgang Wichmann
IHP锗硅BiCMOS技术支持负责人

1980年毕业于耶拿的弗莱德里西-席勒大学(Friedrich-Schiller-University of Jena), 物理学硕士。同年加入HFO公司,该公司是东西德合并之前最重要的东德半导体工厂。作为项目经理他主要负责模拟定制芯片的开发,积累了大量的集成电路设计经验,包括电路仿真、版图设计、以及版图验证等。

目前wolfgang wichmman工作于德国创新高性能研究所IHP的PDK团队,主要负责IHP锗硅BiCMOS技术的客户支持,同时也帮助IHP的PDK客户解答各种疑难问题。


孙耀明博士

1997年获得西安电子科技大学学士学位, 2003年获得比利时鲁汶大学工学硕士学位,2009年获得德国科特布斯大学工学博士学位。曾任职德国创新高性能研究所IHP,资深科学家、博导。孙博士长期从事RF、微波毫米波系统级芯片SoC的研究工作。

2006年开发成功欧洲第一颗硅基60GHz无线通讯收发机芯片SoC,室内多径环境可达1Gbit/S (与同时期唯一的另一颗60GHz SoC相当,IBM研制),2007年经过系统架构改进的第二代SoC芯片把室内多径环境下无线传输的记录提高到4Gbit/S。

2010年主持了欧盟大型联合研究项目SUCCESS,成功开发了世界上第一颗混合信号122GHz微型毫米波SoC雷达。该雷达具有体积小、重量轻、成本低等特点,可广泛应用于汽车、安保、工业自动化、智能家居以及无人机防撞和自主飞行等领域。该项目解决了低成本毫米波系统大规模应用所有的技术难题,有效推动了毫米波系统的普及和大面积应用。在德期间孙博士发表了超过20篇国际论文和一部科技著作。多次受邀到国内外大学、企业、研究机构和学术会议做现场主题报告,并参与主持了多个国际学术会议。2014年回国创建香港微系统集成公司,向亚洲地区推广SiGe BiCMOS技术,促进先进半导体技术向亚洲/中国地区转移,并提供设计和技术咨询服务。

八、组办单位:排名不分先后

下载“报名注册表”

联系邮箱:n.xie@hk-microsystem.com

联系电话:025-5277 2077;153 6508 8509

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