TriQuint:4G将给半导体产业带来极大的市场

2014-04-23 来源:OFweek电子工程网 字号:

2014年是4G牌照发放元年,但据业内人士指出4G的发展将不似3G时代那样渐进式的发展,而将是爆发式的发展。无论是4G网络基础建设、4G手机产业链都将在这个爆发式的发展中受益。

中国的4G发展吸引了国内外的相关厂商的高度关注,在刚过去的2014慕尼黑上海电子展期间,OFweek电子工程网编辑采访了TriQuint中国区总经理熊挺先生。他在谈话中通报了TriQuint与RFMD的合并相关事宜,并且谈到了4G的发展所带来的机遇及需要解决的问题。

TriQuint展厅

TriQuint中国区总经理熊挺

TriQuint与RFMD的合并事宜

北京时间2月24日,TriQuint和RFMicroDevices(RFMD)宣布,两家公司已经达成协议,将合并成为一家新的公司,合并后的新公司将提供一系列的移动相关产品和服务,并将为网络基础设施和国防/航空行业提供服务。

熊总特别提到了此次合并的细节,内容如下:

1)双方股东各持有新公司50%的股份,所以此次结合在资金上是完全平等的合并。新公司的董事会将从两家公司的现有董事会成员中各挑选5名担任,其中8人是独立董事。

2)新公司的领导团队也将会尽量的保持平衡。例如,RFMD的CEOBobBruggeworth将担任新公司的CEO,TriQuint的原CEO Ralph Quinsey将担任新公司的非执行董事长...

3)新公司将会分别在TriQuint和RFMD的现本部地址所在设立两个总部,形成双总部结构;

4)对于本次公司合并所起到的市场效应,熊总表示:“我认为本次TriQuint与RFMD的合并是一次相互增强型的市场动作。”

他解释道,射频技术主要可以分为:放大、滤波和开关三大块。TriQuint和RFMD在放大器方面都是做的比较好的,但是RFMD侧重2G/3G,TriQuint则着重于3G/4G。TriQuint的滤波器技术主要是SAW和BAW,而RFMD缺少这项技术,所以在这这方面是一个完全的互补。在开关方面,RFMD的主流技术是SOI,TriQuint的技术是砷化镓,但他认为未来SOI将是主流,因此RFMD又填补了TriQuint在此技术上的一些缺失。

目前,两家公司在等美国证券交易委员会批准,之后将开始进行整合工作。

4G将带来极大的市场

3G系统在中国的发展尚不完整,但4G的发展却极为迅速,并且已经被大量的应用。熊总表示,“在TriQuint看来,4G是才是移动互联真正的开端。”

现在业界对中国基站的数量说法不一;但总体来说,中国三大运营商每个都有10万个基站左右的计划。从这个角度讲,未来3年全球将有超过一半的基站在中国产生,这对中国的设备厂商而言将会带来一个业务增长非常迅速的时期。

熊总表示“中国国内的基站相关业务,从2013年二季度开始就呈现出一个迅猛增长的趋势,而且在未来半年仍将持续。”跟通信有关的中国设备厂商将在2~3年内迎来一个巨大的发展机遇,尤其是骨干网、4G网络方面。

3年前,中国骨干网对光通讯是从10G到40G演化,从去年开始从40G向100G演进,由于光通讯是高频芯片做的驱动,这些都是砷化镓做的,而下一步将是推进氮化镓基站的发展。

对于氮化镓产品,TriQuint已经更新了2~3代产品,目前支持氮化镓产品的公司包括飞思卡尔等。氮化镓技术可能是未来3年市场的主要发展方向,其产品最大的特点是高效率、省电、散热好;另外一个显著特点是可维持高频带宽,能更好地进行数据传输。

“但氮化镓最大的难题在于成本问题。”熊总表示,“现在氮化镓的原材料主要是以氮化硅为衬底,包括大尺寸(4寸)、生产线在内等都在制约着氮化镓的成本。”除此之外,还要解决生产产品性能方面的问题,最后就是衬底材料,由于氮化硅比较复杂,所以厂商在选择时就显得尤为重要。

同时,熊总谈到信号的分层覆盖模式。利用小基站在城市的楼宇之间进行数据盲点的覆盖和流量的增强,也将会在骨干网络的铺设基本完成后形成一个新的市场方向。

在采访的最后,熊总表示,“TriQuint有一个愿景,就是在未来5年左右的时间里将氮化镓工艺的产品应用到手机中。”这将会使4G产业链形成一个较为高效且完整的生态系统。

【知识点】

GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

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