5G网络将推动RF GaN技术大规模普及

2018-03-23 来源:无线资讯 我要评论(0) 字号:

过去的几年里,射频氮化镓(GaN)市场经历了令人印象深刻的增长,并重塑了射频功率放大器行业的格局。

近日,Yole Développement在一篇名为“RF氮化镓市场:应用前景,玩家,技术及衬底2018-2023”的报告中,宣称:“截至2017年底,整个GaN市场的规模已经接近380亿美元。”分析师表示,GaN技术已经渗透到各个射频市场,尤其是电信和国防应用市场,过去的两年更是堪称突破:这两个市场的年复合增长率超过20%。这只是一个开始。事实上,Yole表示,预计在2019-2020年前后部署实施的5G网络,将推动整个GaN市场到2023年底,实现总规模增长3.4倍,2017-2023年复合增长率为22.9%!

在Yole的市场报告中,描述了GaN在不同细分市场的发展情况,包括无线基础设施,国防和航空航天,卫星通信,有线宽带,有线电视(CATV)同轴电缆和光纤到户及其他工业,以及ISM应用。报告提供了一个相对完整的分析,涵盖了RF GaN的GaN主要玩家:Sumitomo Electric,Wolfspeed,Qorvo。

2017年无疑是一个美好的一年。整个工业界认识到,射频氮化镓技术正在逐步成为射频行业的主流技术。其中,整合元件制造商公司(IDM)主要是:Sumitomo,Qorvo和Cree,他们在这个行业中处于关键位置。但随着更多代工厂的参与,未来的市场格局也会有所不同。

Yole Développement预测:5G电信市场和国防市场作为GaN行业的主要收入来源。随着5G网络发展步伐的加快,电信市场将从2018年开始为GaN器件带来巨大的机遇。与现有的硅LDMOS和GaAs解决方案相比,GaN器件能够提供下一代移动通信网络所需的具有较高功率/效率水平的功率放大器。而且,GaN的宽带能力是实现许多重要新技术(如多频带载波聚合)的关键因素之一。GaN HEMT已经成为未来宏基站功率放大器的主流候选技术。

Mitsubishi Electric Ka波段GaN HEMT功放

对于6Ghz附近的宏蜂窝单元将普遍使用GaN器件,因为LDMOS不能工作在如此高的频率下,而GaAs对于高功率应用来说并不是最佳的工艺选择。但是,由于小基站(微基站)不需要很高的功率,现有GaAs技术仍然具有优势。

国防市场是过去若干年来GaN发展的主要动力。源自美国国防部所采购的GaN器件已经在新一代天线和地面雷达中得到广泛使用。GaN的高功率能力提高了检测范围和分辨率,设计人员也越来越熟悉这项新技术。不过,涉及军事领域的技术都是非常敏感的。在兼并和收购方面尤其如此。如果企业以军事应用为目标市场,政府可以阻止交易的发生,例如Aixtron被FGC投资基金收购,或者由英飞凌-Wolfspeed收购的失败。

还需要指出的是,GaN器件的价格还是比较高的。据Yole分析师的说法,不久的将来,越来越多的厂商参与该市场,出货量的增加和价格的下降将同步发生。未来几年,GaN产业将会稳步增长。现有的市场领导者无疑会增加他们的收入,但可能并不会增加他们的市场份额!

让我们静观其变。

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