RFMD新推SP4T开关RF1604D

2011-11-30 来源:微波射频网 字号:
 日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq GS 股市代号:RFMD)专门针对接收分集开关应用,开发出全新的 RF1604D 单极四掷 (SP4T)开关,非常适合对于电池供电应用等要求以非常低 DC 功耗来达到高效能开关的应用。

  全新的 RF1604D 开关具有极低插入损耗,可针对分集路由最佳化,具备1.3V GPIO控制电压相容性。此外,RF1604D 还包含内建的解码逻辑,仅需两个控制线即可进行开关控制。RF1604D 采用非常精小的2.5mm×2.5mm ×0.6mm、12接脚无铅 QFN 封装。于射频路径无需直流阻断电容器,除非 DC 是供电于元件埠外部。

  RFMD的低功耗 SP4T 开关 RF1604D 提供2kV HBM ESD 保护,低频可至>2.7Hz 作业;低插入损耗为 0.4dB @ 1GHz;并具备40dB @ 1GHz高隔离度;相容于低压逻辑(VHIGH Min=1.3V),在 RF 2.7Hz 作业;低插入损耗为 0.4dB @ 1GHz;并具备40dB @ 1GHz高隔离度;相容于低压逻辑(VHIGH Min=1.3V),在 RF 路径无须外部 DC 阻断电容器;适于多模 GSM / EDGE / WCDMA 及 LTE 应用、蜂巢式基础设备与接收分集开关等应用。该元件现已供货。

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