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RFMD发布吸收式高隔离度SPDT射频开关

2012-12-13 来源：微波射频网字号：大中小

RFMD日前发布一款采用对称设计可实现超高隔离的SPDT射频开关RFSW6124。该GaAs pHEMT 开关的典型应用包括蜂窝基站和其他要求高线性度和功率处理能力的通信系统。RFSW6124 采用非反射架构为在闭合状态下实现端口，并为全闭合状态提供了启动接脚。开关控制为3V 和5V 正逻辑兼容。

主要特点：
• 50 MHz 至6000 MHz 操作
• 高隔离度：70dB (在2GHz 时)
• 高IIP3：:58dBm (在5V时)
• 对称的SPDT
• 非反射结构的RF1 和RF2 端口
• 在全闭合状态下端接RF1 和RF2 端口
• 3V 和5V 逻辑兼容

主要应用：
• 蜂窝式、3G、LTE 基础设施
• 无线回传
• 高性能通信系统
• 测试设备

本产品目前已批量生产。若以购买750 件为一批，则每件售价1 美元起。

主题阅读： RFMD 射频开关

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