RFaxis量产基于纯CMOS的智能手机用射频开关

RFaxis, Inc日前宣布，该公司的单刀三掷(SP3T)开关RFX333已投入量产。这款开关专为用于智能手机、平板电脑等移动设备的2.4GHz Wi-Fi/Bluetooth组合芯片而优化。RFX333采用业内最具成本效益优势的bulk CMOS技术研发和生产，可与当前市场上采用的使用昂贵的砷化镓(GaAs)或绝缘硅片(SOI)工艺的现行解决方案实现引脚兼容。

RFaxis董事长兼总裁Mike Neshat评论表示：“随着高通公司(Qualcomm)新近推出RF360，毫无疑问，全球射频产业正加速接受功率放大器(PA)和开关等基于CMOS的射频前端组件。最近几年里，我们看到了众多平台上的砷化镓pHEMT开关被SOI取而代之。现在，我们向我们的无线局域网系统芯片(Wi-Fi SoC)合作伙伴和原始设计制造商(ODM)/原始设备制造商(OEM)客户推出基于纯CMOS的、引脚兼容的射频开关替代解决方案，且价格显著降低。通过向我们的产品组合中添加RFX333，RFaxis正迅速成为一个高性能而又最具成本效益的射频解决方案的一站式服务点，包括完整的射频前端集成电路(RFeIC)、大功率PA、以及射频开关。”

RFX333是采用bulk CMOS技术开发的单刀三掷天线开关。该芯片经优化适用于2.4GHz频率范围内的WLAN IEEE 802.11b/g/n和Bluetooth等要求高线性度和低插入损耗的无线应用。RFX333具有简单的低压CMOS逻辑控制，仅需最少的外部器件。所有的直流阻隔电容均为片上集成，旨在最大程度减少印刷电路板(PCB)占用空间。RFX333采用超级紧凑、超薄型的1.6x1.6x0.45毫米12引脚四侧无引脚扁平(QFN)封装，为手机、智能手机、平板电脑及其他移动设备平台提供理想的射频开关解决方案。

关于RFaxis, Inc.
RFaxis, Inc.成立于2008年1月，总部设于加州欧文，专业从事射频半导体的设计和开发。凭借其专利技术，该公司引领专为数十亿美元的Bluetooth、WLAN 802.11b/g/a/n/ac、MIMO、ZigBee、AMR/AMI和无线音频/视频流市场设计的下一代无线解决方案。利用纯CMOS，结合其自身的创新方法、专利技术和商业秘密，RFaxis开发出全球首款射频前端集成电路(RFeIC)。