RFMD推出首款用于射频功率晶体管的6英寸碳化硅基氮化镓晶圆

RFMD宣布推出全球首款6英寸用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）晶圆，以满足军用和商用需求。RFMD实现了从现有高产量、6英寸砷化镓（GaAs）晶圆生产向6英寸氮化镓晶圆生产和研发的转变，以降低平台成本从而满足不断增长的氮化镓器件市场需求。

“我们很高兴在RFMD现有高产量6英寸砷化镓生产线上推出业界首款6英寸碳化硅基氮化镓射频技术。”RFMD公司总裁兼CEO Bob Bruggeworth表示，“氮化镓器件和砷化镓器件在制造上的合并是我们“砷化镓中氮化镓代工厂”（GaN-in-GaAs Fab）策略的一部分，通过制造创新型氮化镓基产品使现存代工厂更好地抓住增长机会。”

据行业分析公司Strategy Analytics的数据显示，2017年氮化镓微电子市场将是现在的三倍，达到3.34亿美元，复合年增长率（CAGR）达28%。该市场增长由军用（雷达、电子战、通信）和商用（电源管理、蜂窝通信、有限电视、移动式无线电通信）共同推动。

“利用我们在6英寸砷化镓制造技术的领先地位和高产量的专业知识，RFMD公司有能力增加6英寸氮化镓的性能，来推出新的射频功率产品，以此加速我们在通信、有线电视、能量转换、雷达、干扰、宇航和代工业务中的利润增长。”RFMD公司功率宽带部副总裁Jeff Shealy博士表示。

氮化镓技术可在小面积内支持宽频带和高击穿电压。6英寸氮化镓晶圆所能提供的有效面积是目前4英寸氮化镓晶圆的2.5倍，因此每个晶圆所产出的射频功率器件数也增加2.5倍。晶圆面积越大，随之每个单位面积的成本越低，是为军用和商用提供廉价、高性能单片毫米波集成电路（MMIC）的关键。

RFMD预计在2014年将完成对6英寸氮化镓平台的验证。