能讯半导体发布用于LTE基站的国产氮化镓微波晶体管

2014-04-02 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

近日国内首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业,苏州能讯高能半导体有限公司(Dynax Semiconductor Inc.)发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品DX1H2527150F。这款产品将助力通讯系统设备制造商,针对当下热门的LTE移动通讯市场,提出更高效、更具性价比的解决方案。

能讯发布首款氮化镓微波晶体管:DX1H2527150F

能讯发布首款氮化镓微波晶体管:DX1H2527150F

与以往的LDMOS和GaAs相比,GaN功放管在功率密度、工作带宽和效率方面具有无与伦比的优势。这也使得GaN在移动互联网、卫星通讯、有线电视等等领域有着良好的市场前景,被业界认为是射频功率器件的未来。

能讯半导体总裁张乃千博士指出:“公司一直致力GaN微波功放晶体管的研发与制造,我们相信GaN功放管的宽频带、高线性度和高效率等优异特性,能够为客户带来价值。”能讯半导体本次推出的这款产品为DX1H2527150F内匹配微波晶体管,其工作频率范围为2.5—2.7GHz,供电电压为48V,饱和功率为200瓦。在WCDMA(带DPD)测试条件下,其输出功率达40W,ACLR小于-50dBc,效率高达33%。

该款产品是针对4G移动通讯的LTE基站应用而量身打造的,拥有杰出的线性度、效率和功率密度,采用这款产品实现的Doherty放大器表现出了非常优异的性能指标。得益于能讯公司先进的设计和优良的工艺,产品多项指标处于业界领先地位。同时,能讯公司承诺为客户提供及时响应、深度协助、提升竞争力的服务标准,为客户提供完整成熟的解决方案和充分的应用技术支持。

氮化镓的优势

氮化镓是半导体与微电子产业的新星,其高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。业界已经公认氮化镓(GaN)半导体器件产品将统治微波放大和电能转换领域,市场规模大于150亿美元。为了争夺这一技术制高点和市场机遇,世界各大半导体商都投入了巨大的力量,氮化镓电子产业的发展已进入了爆发式增长的前奏。

氮化镓的优势

氮化镓应用在微波领域的优势表现为:

更高效率:降低功耗,节省电能,降低散热成本,降低总运行成本。
更大的宽带:提高信息携带量,用更少的器件实现多频率覆盖,降低客户产品成本。也适用于扩频通信、电子对抗等领域。
更高的功率:在4GHz以上频段,可以输出比砷化镓高得多的频率,特别适合雷达、卫星通信、中继通信等领域。

氮化镓应用在电力电子领域的优势:

高转换效率:氮化镓的禁带宽度是硅的3倍,击穿电场是硅的10倍。因此,同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻比硅器件低3个数量级,大大降低了开关的导通损耗。
高工作频率:氮化镓开关器件寄生电容小,工作效率可以比硅器件提升至少20倍,大大减小了电路中储能原件如电容、电感的体积,从而成倍地减小设备体积,减少铜等贵重原材料的消耗。
高使用环境温度:氮化镓的禁带宽度高达3.4eV,本征电子浓度极低,电子很难被激发,因此氮化镓器件理论上可以工作在800摄氏度以上的残酷环境,降低系统使用周期成本。

关于能讯高能半导体

苏州能讯高能半导体有限公司是由获得中国第一批“千人计划”支持的海外归国人员于2007年创立的高新技术企业,是中国第一家第三代半导体氮化镓(GaN)电子器件制造企业。能讯半导体致力于高能效的氮化镓功率半导体材料和器件产业化,其产品应用涵括了射频功率器件和电力电子两大领域,公司曾于2009年生产出中国第一个耐压2000V的氮化镓开关功率芯片产品、并于2010年发布了领先的氮化镓微波功率器件产品。公司的微波器件具有高电压、高功率、耐高温、宽频及高增益特点,在无线通讯、雷达和宽频带通信等领域有着巨大的应用前景。公司的电力电子器件产品具有高效率、高速度、高结温的特点,在工业控制、电源、电动汽车以及太阳能逆变器领域应用广泛,能够有效降低电能转换系统损耗50%以上,同时成倍地减小设备体积,减少铜等贵重原材料消耗,其耐高温的特性也为节约重量、减少体积,特别适用于环境恶劣的场合。

能讯半导体自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术,已拥有46项中国发明专利和13项国际发明专利,其技术水平和产品指标均已达到国际先进水平。能讯的核心团队有着丰富的海外从业经验,目前还保持着众多氮化镓技术的世界纪录。公司有员工150余人,50%以上拥有本科学历,其中包括海外归国博士8名、硕士40余名。公司先后承担了国家“核高基”重大科技专项、科技部863重大项目以及省、市级重大科技产业项目。

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