IBM为RF芯片提供新的SOI和SiGe工艺代工服务

2014-06-30 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

IBM公司将为客户提供经改进的射频(RF)绝缘体上硅(SOI)和硅锗(SiGe)工艺代工服务,以扩大在RF芯片代工市场的占有率。

新的SOI工艺是130nm/180nm混合工艺,称为7SW SOI,性能比前一代工艺(7RF SOI)提升30%,同时芯片尺寸缩小30%。IBM公司在过去三年中已生产了将近70亿颗SOI芯片,主要应用于手机和无线通信基站。

新的SiGe工艺是90nm工艺,称为9HP,可使设计人员充分利用新出现的E波段(70~100GHz)带来的优势,通过开发新的频段来更好地管理海量数据。能支持高达360GHz的最高振荡频率(Fmax)和300GHz的截止频率(Ft)。适用于汽车雷达、光通信链路、蜂窝骨干网路芯片组、测试和仪表、军事和航空航天等。

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