Peregrine半导体推出40GHz射频SOI开关

2015-04-29 来源:微波射频网 字号:

UltraCMOS® PE42524树立了射频 SOI开关在高频性能方面的新标准,

比起现有的GaAs解决方案,在可靠性和性能方面具有优势

Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人,先进的射频解决方案的先驱,现在推出UltraCMOS® PE42524,这是行业中第一个工作频率高达40 GHz 的射频 SOI开关。这种开关引人注目地把Peregrine的高频产品阵容扩大到先前以砷化镓(GaAs)技术为主的频率。作为GaAs以外的另一种解决方案,PE42524的可靠性高,在线性度、隔离性能、过渡过程时间和静电放电(ESD)保护性能等方面具有优势。由于这种开关具有这些特性,是用于测试和测量、微波回程、雷达和军事通信设备的理想开关。

Peregrine半导体推出40GHz射频SOI开关

“随着我们把高频产品进一步延伸到微波频率,Peregrine证明了射频 SOI技术的能力和优势。” Peregrine半导体高级营销经理Kinana Hussain说。“我们的UltraCMOS技术促成了我们的高频元件,例如PE42524,达到以前人们认为射频SOI不可能达到的性能水平。Peregrine的产品发展路线图包括其他高频元件,已经并将继续在射频 SOI方面树立新的标准。"

Peregrine的高频开关产品,其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和现在40 GHz产品,是用Peregrine公司的UltraCMOS技术制造的。UltraCMOS技术是SOI技术在蓝宝石基片上实现的专利技术。对于高频设计,蓝宝石基片具有十分重要的若干关键性好处。蓝宝石的损耗角正切优于CMOS十倍,优于砷化镓三倍。蓝宝石是电阻率超高的基片,它的隔离度高,而且寄生电容最小。蓝宝石基片根除了硅基片常见的许多耦合方面的影响,因而为射频系统工程师带来非凡的线性度和功率处理性能。

特性、包装、价格和供货

Peregrine的PE42524是单刀双掷(SPDT)射频开关裸片,它的频率范围宽,从10 MHz至40 GHz。它的端口与端口之间的隔离性能极好,插入损耗低,线性度优异。在30 GHz时,开关的隔离性能是47分贝,插入损失为2.2分贝,在13.5 GHz时的IIP3为50 dBm。PE42524的开关时间为225纳秒,过渡过程时间很短,为840纳秒,所有引脚的人体放电模型(HBM)静电放电保护电压高达2000伏。和砷化镓的解决办法不同,对于PE42524,在射频端口,如果没有直流电压,不需要阻断电容器。PE42524可以以倒装片裸片的方式提供,它的凸块间距为500微米,从而根除了由于邦定线长度变化而引起的性能变化。

样品、评估工具和量产件现在已经上市。PE42524的倒装片裸片符合RoHS标准,订购数量为1千片时的价格是每个40美元,订购数量为5千片时的价格是32.44美元。

特性 UltraCMOS® PE42524
配置 单刀双掷(SPDT)
频率范围 10 MHz至40 GHz
隔离性能好 48 dB (在 26.5 GHz时)
39 dB (在 35 GHz时)
33 dB (在 40 GHz时)
线性度好 IIP3 为50 dBm (在13.5GHz时)
输入的 1dB压缩点 31.5 dB (在 26.5 GHz时)
28 dB (在35 GHz时)
插入损耗小 1.8 dB (在 26.5 GHz时)
3.1 dB (在35 GHz时)
静电放电(ESD)保护额定电压高 2000V(人体放电模型,所有引脚)
开关时间 225 ns
过渡过程时间 840 ns
封装 倒装片裸片

Peregrine半导体公司简介

Peregrine半导体公司是Murata公司的一员,是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人,是提供高性能射频集成解决方案的领先的无晶圆厂供应商。自1988年以来,Peregrine和它的创始团队一直在完善UltraCMOS®技术──这是SOI方面拥有专利权的先进技术, 提供解决射频市场的最大挑战所需要的性能,例如线性度。由于Peregrine半导体提供的产品是单片集成方案,具有最好的性能,是汽车、宽带、工业、物联网、军工、移动设备、智能手机、空间技术、测试和测量设备和无线等市场的领先公司完全可信赖的选择。Peregrine拥有超过180项专利和正在审批的专利,已经向市场提供二十多亿个UltraCMOS。

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