RFaxis面向物联网推出新系列Sub-GHz CMOS射频前端集成电路

2016-03-01 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

专注于为无线连接市场开发创新型下一代射频(RF)解决方案的领先无晶圆厂半导体公司RFaxis, Inc.近日宣布,面向高速发展的物联网(IoT)/机器对机器(M2M)市场推出业界领先的超小型sub-GHz射频前端集成电路(RFeICTM)产品系列。全新RFX15xx系列产品将增强RFaxis适用于物联网的强大射频前端集成电路组合,这些新增的高功耗版射频前端适用于sub-GHz应用。

RFX15xx系列属于sub-GHz RFeICsTM家族产品,采用超小型2.5 x2.5mm方形扁平无引脚(QFN)封装,是现有RFX10xx系列产品的小体积版。该系列专用于700/800/900MHz频谱,适用于高功耗工业、科学与医疗(ISM)频段应用,包括IEEE 802.15.4/4g、无线计量总线、智能公用事业网络(SUN)、IEEE 802.11ah Wi-Fi HaLow,以及一系列其他低功耗广域网(LP-WAN)连接技术,例如LoRa、SigFox、WeightlessTM和窄带蜂窝物联网(NB-CIoT)。

RFX15xx系列包括RFX1510、RFX1530和即将推出的衍生产品。RFX1510整合了高功耗、高效率线性功率放大器(PA),配有27dBm饱和功率、低噪声放大器(LNA)和发射/接收切换电路。

RFX1530也同样整合了高功耗、高效率线性功率放大器(PA),配有30dBm饱和输出功率、低噪声放大器(LNA)和发射/接收开关。这两大系列均配有定向功率检波器集成电路、相关的匹配网络、射频解耦和谐波滤波器,所有这些均融于单硅片、单芯片bulk CMOS技术中。它们共用一个公共端引脚,采用16-lead塑料QFN封装。与所有RFaxis RFeIC’sTM家族产品一样,它们以裸芯片形式供应,适用于系统级封装(SIP)模块等超紧凑设计。这些器件都能达到高温及恶劣的室外环境下大多数无线传感器网络应用要求的最高125°C的额定环境温度。

随着面向物联网和机器对机器的无线连接不断发展,市场对于简单而经济实惠的高性能射频前端解决方案的需求日益迫切。据估计,到2025年,面向固定短程无线电及LP-WAN的物联网/M2M无线连接市场将总计拥有200亿台互联设备(Machina Research,2015年5月)。

RFaxis首席技术官(CTO) Oleksandr Gorbachov表示:“射频前端在高速发展的智能家居、智能办公、智能楼宇和智慧城市细分市场中的商机巨大。对于我们成为射频前端解决方案的首选领先供应商这一成就,RFaxis深感自豪。我们不断扩展的物联网组合将助力实现一系列广泛的超紧凑、高性能和具有成本竞争力的设计。随着芯片组合作伙伴和终端客户认识到我们整合于纯CMOS中的创新型单硅片、单芯片射频前端集成电路的性能及成本效益,我们将继续从中获得强大动力。”

关于RFaxis

RFaxis, Inc.成立于2009年3月,总部设于加州欧文,专业从事射频半导体的设计和开发。凭借其专利技术,该公司引领专为数十亿美元的WLAN 802.11b/g/a/n/ac、MIMO、IoT/M2M、802.15.4/ZigBee、Thread、标准蓝牙(Bluetooth Classic)、低功耗蓝牙、ANT、6LoWPAN、AMR/AMI和无线音频/视频流市场设计的下一代无线解决方案。利用纯CMOS,结合其自身的创新方法、专利技术和商业秘密,RFaxis开发出全球首款射频前端集成电路(RFeICTM)。

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