恩智浦发布业界功率密度最高的航空电子射频LDMOS

2017-06-19 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

恩智浦的前沿LDMOS技术助力打造小尺寸的700W射频功率器件

全球领先的射频功率器件供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)近日宣布推出业界最为紧凑的射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)解决方案,面向广播式自动相关监视(ADS-B)和无人驾驶飞行器(UAV)应答器市场。AFV10700H集成设计在一个尺寸仅为半张信用卡大小的50欧姆功率放大器,但提供的脉冲功率高达700瓦特(W),能够满足航空领域对于尺寸、重量、功率和成本(SWaP-C)的多方面要求。

AFV10700H基于恩智浦的前沿Airfast技术,并且采用小型NI-780气腔封装,与目前采用标准NI-1230封装的其他同功率级LDMOS解决方案相比,占用空间减少了40%。AFV10700H配有高度集成的片上预匹配电路,能够提供高输出阻抗,帮助减小匹配电路尺寸,从而实现1.3″x 2.6″(3.3 x6.6 cm)的小尺寸功率放大器。此外,业界领先的热阻特性允许采用更小的散热器设计,进一步减轻了应答器的重量。

恩智浦多市场射频功率工业技术高级总监兼总经理Pierre Piel表示:“恩智浦一直在努力开发强大的产品,以满足L频段脉冲应用对于尺寸和性能的严苛要求,这套全新的解决方案便是一个典范。我们的主要设计理念是兼具高性能与易用性。”

这款器件针对诸如商用广播式自动相关监视(ADS—B)、UAV和军事敌我识别(IFF)等脉冲应用而设计,在1090兆赫兹(MHz)和50伏特(V)的工作条件下可提供700W P1dB的功率输出,效率为56%;在1030 MHz和52V的工作条件下可提供850W P1dB的功率输出,效率为52%。低热阻特性支持高占空比的脉冲序列,例如S模式(Mode-S)扩展长度信息(ELM)和Link 16。

这款新型产品进一步扩充了恩智浦针对航空电子应用提供的960-1215 MHz LDMOS晶体管产品组合,现有10-1300W范围内的10款不同功率级产品可供选择,为应答器射频产品的设计师们带来了设计灵活性。

上市时间和展示

AFV10700H晶体管现处于量产阶段,并且提供参考电路支持以实现1030-1090MHz窄带操作。

国际微波研讨会于6月6日–8日在火奴鲁鲁举行,恩智浦将在第1132号展台演示新型晶体管。

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