Gotmic发布V/E波段评估板套件

2017-08-11 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

Gotmic是业界知名的毫米波芯片供应商,专注于40-170GHz的毫米波芯片设计,早在2008年就发布了全世界第一款GaAs 60GHz多功能芯片。

目前产品有多功能芯片、功率放大器、倍频器、混频器、衰减器开关和检波器等。主要应用包括:毫米波通信,主动式、被动式安检成像,机场跑道异物检测,毫米波测试测量,毫米波防撞系统,军事国防等

相比较SiGe/CMOS等工艺,基于三五族材料的GaAs/GaN工艺具有更高的输出功率、更高的线性度和更佳的噪声系数, 更适合用在5G通信的毫米波数据回传。

图1、毫米波数据回传

1、Tx EVB套件

EVB-gTSC0020,RF:52-72GHz,LO:9-11GHz,IF:DC-12GHz

EVB-gTSC0023,RF: 71-86GHz,LO:11.8-14.3GHz,IF:DC-12GHz

图2、Tx框图和实物图

Tx多功能芯片具有完整的发射链路功能,包括25dB的增益可调范围VGA,6倍频器Multiplier,IQ混频器和驱动放大器MPA,具有高输出功率/高线性度等特点。EVB的IF中频连接头SMA,LO也是SMA连接头,V波段WR-15标准波导接口, E波段采用WR-12标准波导接口。

EVB评估板套件,段覆盖V/E波段,21dB变频增益,25dB增益可调;

V波段:P1=+20dBm, OIP3=+26dBm;

E波段:P1=+16dBm,OIP3=+26dBm。

2、RX EVB套件

EVB-gRSC0016: 55-66GHz

EVB-gRSC0012/0014: 71-76GHz

EVB-gRSC0013/0015: 81-86GHz

图3、Rx框图和实物图

接收Rx多功能芯片,内部集成了低噪声放大器、IQ混频器和本振X6倍频器,可采用零中频方案。低噪声放大器具有高增益、低噪声系数和高线性度等特点,可以支持64QAM以上高阶调制。混频器采用IQ差分结构,抗干扰性强,可以抑制镜像干扰,同时具有高线性度、低插损特点。6倍频器在整个E波段具有很低的谐波分量和优秀的平坦度,大大简化了LO链路结构。

EVB的IF中频连接头SMA,LO也是SMA连接头,V波段WR-15标准波导接口,E波段采用WR-12标准波导接口。

指标特点:高集成度,宽中频IF:DC-12GHz,高变频增益,低噪声系数。

V BAND NF=4dB

E BAND NF=6dB

图4、EVB专用电源板套件

3、EVB测试数据

利用谐波混频器,测试Tx EVB的发射功率指标,在125MHz带宽实现非常好的平坦度和邻近信道比(ACPR)。

图5、频谱分析仪测试TX EVB,BW=125MHz

Tx和Rx EVB加modem信号联调测试,中间利用手动可调、精确可读衰减器模拟实际传输过程中的衰减。

图6、64QAM EVM测试

图7、128QAM EVB测试

据Gotmic中国区总代理,上海馥莱电子有限公司总经理王明福先生介绍,Gotmic正在积极研发下一代更好指标的多功能芯片,加大增益控制范围,提供线性度,改善SNR,目标最高支持到QAM 1024。

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