Ampleon推出了第十代大功率非对称Doherty射频功率器件

埃赋隆半导体（Ampleon）近日推出了第十代（Gen10）大功率非对称高效率射频功率（RF Power）系列解决方案，旨在为全球无线基础设施设备制造商提供射频功率产品，将性能、小型化及性价比提升至新的高度。

Gen10是埃赋隆半导体推出的新一代RF LDMOS产品，目的是通过实施全面的技术革新实现显著的性能提升，这些技术可以提供更高的功率密度、更高的增益、更高的级联效率、更宽的信号带宽以及更好的成本效益。第十代大功率非对称高效率射频功率系列解决方案主要特点有：

· 针对高功率，高效率非对称Doherty架构应用而设计，能满足基站（室内宏站和分布式基站）和直放站大功率功放的需求；
· 单器件实现高效率高功率非对称Doherty架构；
· P3dB: 240W--550W，频率从1.8GHz--2.7GHz；
· 第二代集成无源器件的使用（“T”版本器件），保证了Gen10 射频功率器件所支持的信号带宽，能满足4G频谱各工作频带内信号任配要求，从而满足4G/5G基站中对超宽带信号的需求；
· 纯铜法兰的空腔塑封，使器件保证了性能的同时，还对热阻和成本都有了很好的提升。

目前已发布器件有:

BLC10G18XS-360AVT   P3>56.0dBm, Gai>17.0dB, Eff>52% @8dBBO, SOT539
BLC10G18XS-550AVT   P3>57.5dBm,Gai>17.0dB, Eff>50% @8dB BO, SOT539
BLC10G20LS-240PWT   P3>55.5dBm,Gai>17.0dB, Eff>48% @8dB BO, SOT502
BLC10G22LS-240PVT   P3>55.5dBm, Gai>17.0dB, Eff>46%@8dB BO, SOT502
BLC10G27LS-320AVT   P3>55.5dBm, Gai>16.5dB, Eff>48% @8dBBO, SOT539