助推5G,中芯长电发布超宽频双极化的5G毫米波天线芯片晶圆级集成封装SmartAiP™工艺技术

2019-03-22 来源:微波射频网 字号:

微波射频网点评:由晶圆代工厂(Foundry)推出封装天线AiP工艺技术,对5G及天线行业发展意义重大,将进一步推动AiP技术在天线领域的深入发展。

中芯长电半导体有限公司发布世界首个超宽频双极化的5G毫米波天线芯片晶圆级集成封装SmartAiP™(Smart Antenna in Package)工艺技术。SmartAiP™具有集成度高、散热性好、工艺简练的特点,能够帮助客户实现24GHz到43GHz超宽频信号收发、达到12.5分贝的超高天线增益、以及适合智能手机终端对超薄厚度要求等的优势,并且有进一步实现射频前端模组集成封装的能力。

与领先的天线方案提供商硕贝德无线科技股份有限公司合作,利用中芯长电SmartAiP™工艺,集成了射频芯片的5G毫米波天线模块成功实现了从24GHz到43GHz超宽频信号收发,为克服各国和地区不同毫米波频段在5G技术推广上的困扰提供了重要的技术方案。这一合作还成功展现了中芯长电SmartAiP™工艺平台超低功耗的技术优势。SmartAiP™技术的推出满足了5G毫米波天线和射频,乃至于整个射频前端模块集成加工的需求,将助推5G毫米波商用进程。这是中芯长电通过技术创新,原创性地参与和推动5G毫米波技术应用的一个重要体现,在后摩尔时代对企业和产业的发展具有非凡的意义。

中芯长电资深技术研发总监林正忠先生表示:“这项已获得中国和美国专利授权的创新天线芯片集成封装结构与技术,通过超高的垂直铜柱互连提供更强三维(3D)集成功能,加上中芯长电成熟的多层双面再布线(RDL)技术,结合晶圆级精准的多层天线结构、芯片倒装及表面被动组件,使得SmartAiP™实现了5G天线与射频前端芯片模块化和微型化的高度集成加工,相比现有市场方案,更加符合5G手机低功耗、高增益、超薄的要求,并且整个工艺流程更加简化,利于量产管理,也有利于客户的供应链优化。”

首席执行官崔东先生表示:“中芯长电成立之初,就宣布把3D-IC作为公司发展的重要产业方向,5G毫米波天线集成加工是公司SmartPoser™3D-SiP工艺平台首次在具体市场领域得到应用,其表现出来的独特性能优势让人振奋,也标志着公司在3D-IC这一重要产业方向上迈出了坚实而重要的一步。我们希望利用这一创新性的技术,与更多合作伙伴一起,共同完善和推进5G毫米波技术的应用推广。公司也将全力以赴做好量产准备,满足日益增强的市场需求。”

关于中芯长电

中芯长电半导体(江阴)有限公司是由中芯国际牵头,与长电科技于2014年11月合资设立,注册资本金3.3亿美元,是中国大陆第一家专注于12英寸中段硅片高密度凸块加工的企业,致力于发展先进的硅片级先进封装技术和芯片系统集成加工业务。公司是美国高通公司最近几年来唯一新引入的中段硅片凸块加工制造供应商,现已大规模配套加工28/14/10纳米硅片的高密度铜柱凸块加工,并提供先进的硅片测试服务。公司在超高密度凸块加工工艺上,不仅实现了业界一流的生产良率,并在接触电阻、超低介电常数(ELK)材料缺陷控制等关键技术指标上,达到业界领先水平,形成了独特的竞争优势。

公司是国家高新技术企业。总部位于江阴国家高新技术产业开发区,在江阴和上海张江拥有两个硅片加工和测试运营基地,服务于国内外领先的移动通讯、消费电子、存储器、电源管理芯片设计企业。

核心技术介绍

主要集中在为今天快速发展的数字时代中移动设备提供必要的晶圆级封装技术Cu Pillar凸块技术工艺。

Cu Pillar凸块结构

Cu Pillar凸块的典型结构包含着溅射在PSV(SiN或PI)的UBM凸块。铜柱从电镀中形成,最后实现脚距密集化。这个过程中可以实现有镍或者无镍。锡焊针脚则在后续的工艺过程中形成。

Cu Pillar凸块: 应用

Cu Pillar凸块技术使得脚距密集化(Fine Pitch)、低高度、较高输入输出、比C4凸块有更好的可靠性因此对于PMIC、储存设备、应用程序处理器、以及基带视为理想技术。

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