用于HZZH 98%高效功率模块的Transphorm GaN

2020-03-18 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

超高效48伏模块是半导体公司针对数据中心研发的最新客户产品

Transphorm Inc.是一家设计和制造最高可靠性产品的领先公司,其研发了第一台符合JEDEC-和AEC-Q101标准的高压氮化镓(GaN)功率半导体元件。目前,经证实,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)已开发出一种基于GaN的超高效功率模块。3kW ZHR483KS采用Transphorm的GaN器件,效率达到98%,成为迄今为止电信行业效率最高的GaN驱动模块。原始设计制造商(ODM)可以将提供标准化输出连接器配置的ZHR483KS与现有的同功率模块交换,从而以较低的总体系统成本实现高可靠性、高性能解决方案。

设定行业标杆

ZHR483KS是HZZH首个基于GaN的功率解决方案,也是新产品线的龙头产品。该模块的输入电压范围为85伏至264伏,而其输出电压范围为42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用于交错无桥图腾式PFC,以实现98%的半负载效率。GaN器件降低了功率模块的开关损耗和驱动损耗,因此ZHR483KS的性能优于以前使用超级结硅MOSFET的模块。

HZZH首席技术官Guo博士表示:“我们在寻找一种功率晶体管,帮助我们为客户开发一种更高效、更具成本效益的解决方案。我们曾考虑碳化硅器件,但在低电压条件下无法达到预期优势。然后,我们审查了几家GaN制造商的器件,最终鉴于可靠性、器件成本和实现简单,我们选择了Transphorm的GaN场效应晶体管(FET)。”

Transphorm的GaNFET是一种双芯片增强型场效应晶体管,可采用标准的TO-XXX封装和普通现成驱动器驱动的PQFN模块。当前的Gen III系列提供了GaN半导体行业最高阈值电压(4V)和最高门稳健性(±20V)。因此,客户能够轻松地设计出高可靠性的GaN解决方案,以实现该技术的高功率密度优势。

Transphorm亚洲区销售副总裁Kenny Yim说:“Transphorm在开发每一代GaN平台时都考虑了四个关键因素:可靠性、可驱动性、可设计性和可重复性。HZZH认为,我们的客户打破市场需要这四个因素,因此选择我们作为其GaN合作伙伴,于此,我们感到自豪。正是此次合作,我们的GaN被设计成各种不同的多千瓦电力系统,创造了行业记录。我们预计,随着我们未来在产品上的继续合作,HZZH将继续创新。”

ZHR483KS目前正在生产中。

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