Transphorm推出第四代GaN平台及SuperGaN功率FET

2020-04-17 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

新一代高压GaN器件成本更低,性能更高,设计更简单

设计和制造高可靠性、并率先获得JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓(GaN)功率半导体器件的领先公司Transphorm,Inc.近日宣布推出其第四代GaN平台。与前几代GaN技术相比,Transphorm的新一代技术在性能、可设计性和成本方面都有显着进步。Transphorm还宣布,其第四代及以后的平台都将相应地被称为SuperGaNTM技术。

Transphorm公司SuperGaN系列的第一款通过JEDEC认证的器件是TP65H300G4LSG。这是一颗650V GaN FET,采用PQFN88封装,导通电阻为240毫欧。第二款SuperGaN器件是TP65H035G4WS,同样为650V GaN FET,采用TO-247封装,导通电阻为35毫欧。这些器件目前正处于提供样品阶段,并将分别在第二季度和第三季度发布。它们的目标应用包括适配器、服务器、电信、广泛的工业和可再生能源。系统设计人员可以在Transphorm的4kW无桥式图腾柱AC-DC评估板TDTTP4000W066C-KIT中评估这项技术。

SuperGaNTM技术与众不同之处

在设计第四代产品时,Transphorm的工程团队借鉴了先前产品生产记录的经验,并不断追求提高性能、可制造性和降低成本,从而设计出归于至简又具备实质性改进的新产品。 新平台专利技术的优势在于增强了Transphorm GaN固有的高性能,简化了组装和应用,这将是促成SuperGaNTM品牌成功的催化剂。

在其专利技术的推动下,SuperGaN Gen IV的优势包括:

· 提升了性能:第四代产品的效率曲线更平坦、取值更高,其FOM优异度(RON * QOSS)提高了大约10个百分点。

· 设计更简单:高工作电流下不再需要使用开关节点缓冲电路,简化了第四代产品在设计中的应用。

· 增强了抗浪涌电流的能力:消除了半桥中内置续流二极管功能对开关电流的限制。

· 降低了器件成本:第四代产品的设计创新和专利技术同样简化了器件的封装,从而降低了成本,使TransphormGaN的价格更接近于硅晶体管。

· 经过验证的稳定性/可靠性:第四代35毫欧FET的栅极稳定性和抗扰度与Transphorm第三代器件相同,均为+/- 20 Vmax和4 V。

Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示:“我们希望Transphorm的SuperGaNTM FET像硅基超结MOSFET的发展一样,继续影响下一代电力电子产品。通过提供更出色的性能,并提高用户的整体投资回报率,我们的第四代GaN平台正在其它功率等级上创造新的设计机会。我们能够在不牺牲可靠性的情况下减少损耗,并将初始设备投资降低到接近用户之前使用硅基产品时的水平,这表明,GaN在市场上的地位正在强化。”

Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓[GaN]半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合,在全球已获准和等待审批的专利超过1,000多项 ,是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。得益于垂直整合的业务模式,Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。

SuperGaN是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

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