联华电子加入IBM芯片联盟,共同开发10nm工艺技术

2013-07-03 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

联华电子(UMC)与IBM近期共同宣布,联华电子将加入IBM技术开发联盟,共同开发10nm CMOS工艺技术。

IBM半导体研发副总Gary Patton表示,“IBM联盟成立至今已逾十年,联盟伙伴可整合运用我们的专业知识,团队研究合作与创新的技术研发,藉此满足对先进半导体应用产品与日俱增的需求。联华电子的加入,将使联盟的实力更加强大。”

联华电子执行长颜博文表示,“IBM为众所公认的半导体技术领导者。联华电子十分高兴与IBM在先进基础方面携手合作,贡献我们多年来开发高竞争力制造技术所累积的经验。身为世界顶尖的晶圆专工厂之一,联华电子肩负着适时推出前沿工艺,以实现客户次世代芯片设计的使命与承诺。我们期待与IBM密切合作,借重其深厚的技术专业来缩短我们10nm与FinFET 的研发周期,为联华电子与我们的客户缔造双赢。”

联华电子与IBM两家公司此次的协议,拓展了双方于2012年签订的14nm FinFET合作协议。拥有IBM的支持与know-how,联华电子将可持续提升其内部自行研发的14nmFinFET技术,针对行动运算与通讯产品,提供富竞争力的低耗电优化技术。双方计划开发10nm制程基础技术,以满足联华电子客户的需求。联华电子将指派工程团队加入位于美国纽约州阿尔巴尼的10nm研发计划,而联华电子14nmFinFET与10nm未来的制造,则将在联华电子位于台湾南科的研发中心进行。

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主题阅读: IBM  芯片  CMOS工艺