汉天下与IBM达成战略合作协议 采用RFSOI工艺来设计射频开关

2014-04-21 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

汉天下电子有限公司是一家fabless的半导体设计公司,其定义、设计和生产应用于手机、无线通讯等方面的新型SOC芯片和射频芯片,已于日前正式宣布和IBM的战略合作。IBM是世界领先的RFSOI工艺供应商,汉天下计划使用其提供的RFSOI工艺设计和制造用于射频前端(FEM)和天线开关模块(ASM)中的开关芯片。相比传统的GaAs和SOS工艺,RFSOI可以同时提供优良的性能和低廉的成本。

“RFSOI工艺非常适合用来做射频开关的设计,基于这种先进的工艺,我们可以将MIPI标准控制接口、滤波器等集成在开关模块中,并且提供优良的ESD可靠性,用于3G/4G的移动终端中,”汉天下董事长杨清华博士说到,“我们已经用IBM RFSOI工艺实现了SP6T和SP8T开关的量产出货,下一步计划实现全系列高性能开关模块产品的量产,同时也考虑用SOI做WIFI类的产品设计。我们选择IBM作为供应商主要是因为其具有成熟的RFSOI工艺,并具有丰富的量产经验。非常高兴这次能与IBM达成战略合作协议,在将来我们甚至可以用RFSOI工艺来实现PA等产品的设计。”

“IBM RFSOI工艺系列具有灵活的可选择性,使工程师可以针对射频性能和芯片面积同时优化,设计并制造出高性能、满足4G/LTE系统应用的开关。或者针对低成本应用需求着重对芯片面积做优化。”IBM微电子事业部销售副总经理史蒂夫—雷说到,“我们非常高兴汉天下能够选择IBM RFSOI工艺来设计其射频开关产品系列,并参与现如今这个激烈的移动终端市场的竞争。”

基于本次达成的战略合作协议,汉天下将采用IBM RFSOI工艺设计从SP2T到SP16T的全系列开关产品。使用RFSOI工艺设计的开关在具有高线性度(IMD2, IMD3)的同时,可以提供低差损和高隔离度的性能,使其成为LTE、UMTS、CDMA2000、EDGE和GSM射频系统的理想选择。射频开关在现如今高速发展的3G/4G多模多频终端中越来越广泛使用,射频终端从复杂度来看正在不断增加,特别是针对中国移动提出的“五模十频”应用需求。这样的需求导致在射频终端中至少用到3个射频开关,分别在数据、语音、分集接收端做不同频段和模式的切换。随着系统复杂度的提高,射频系统中开关的使用量会进一步增加。

关于汉天下
汉天下电子有限公司是一个提供高性能、创新型RF和SOC集成电路设计公司,其产品应用覆盖了功能手机、无线连接设备、GPS、智能手机和平板电脑等。其主要产品包括2G/3G/4G射频功率放大器、射频前端模块、开关、无线发射芯片、蓝牙系统芯片、LNB卫星下变频芯片和GPS低噪声放大器等。

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