TriQuint成为首个GaN射频芯片制造成熟度达到9级的生产商

2014-08-06 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)日前表示,该公司成为第一个实现氮化镓(GaN)射频芯片制造成熟度(MRL)达到9级的生产商,这意味着TriQuint的GaN制造工艺已满足最佳性能、成本和容量目标要求,并已具备支持全速率生产的能力。

为达到MRL9标准,TriQuint采用美国空军研究实验室(AFRL)的制造成熟度评价工具和标准对其高频、高功率GaN生产线进行了评估。TriQuint正在进行的GaN基器件的研发引领更小、更高效的功率放大器,而这些放大器通常用于军用雷达和电子战项目,以及商业无线通信和基础设施。

“TriQuint最近完成了‘国防生产法案第三法令’中的碳化硅(SiC)基GaN的项目,现在我们已经证明,我们提供的GaN技术具备支持全速率生产计划所需的成熟度。”TriQuint基础设施和国防产品部副总裁兼总经理James Klein表示,“这是一个伟大的团队努力结果,我们利用了整个行业的合作伙伴关系,其中包括美国国防部、美国国内和国际客户,以及一个出色的供应基地。”

TriQuint公司已经出货超过17万件的0.25微米GaN功率放大器,来支持一项正在进行的国际雷达生产项目。在相控阵雷达的现场测试过程中,约1.5万件器件已经累计无故障工作超过367万器件小时。TriQuint继续对产品可靠性进行了验证,在200℃温度下平均无故障时间(MTTF)远超过7000万小时,远高于行业标准的100万小时平均无故障时间。

作为一个固定为美国国内和国际防御项目提供GaN的供应商,TriQuint于1999年开始探索GaN的可行性,并于2008年推出了第一个SiC基GaN的生产工艺。从那以后,该公司持续大规模投资以完善该技术。现在,TriQuint公司的GaN晶圆产量已赶上该公司传统的砷化镓(GaAs)技术。在为国防和商业应用领域进行的GaN研究和产品开发过程中,TriQuint一直提供创纪录的GaN电路可靠、紧凑和高效的产品,为实现更高性能、更低维护费用和更长使用寿命铺平了道路。TriQuint公司还被美国国防部(DoD)认证为可提供代工、后期加工、封装和组装、射频测试等服务的微电子可信供应商(种类A1)。

美国国防部的制造成熟度评估(MRA)是为了确保制造、生产和质量保证能够满足作战任务需求。该MRA工具依据标准对科技公司进行评估,通过检验工业基地成熟度、技术开发与质量和生产管理,对给定技术提供关于成熟度和风险的指导。这个过程保证了产品或系统可成功地从工厂生产转化到实际应用,为客户提供最佳价值。TriQuint证实了其GaN制造工艺已满足最佳性能、成本和容量目标要求,并已具备支持全速率生产的能力。

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