英飞凌和松下将为常关型600V GaN功率器件建立双源供应

英飞凌科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与松下公司(TSE: 6752)宣布达成一项协议。根据该协议，在将松下常关型（增强型）硅基氮化镓(GaN)晶体管结构集成到英飞凌表面贴装器件(SMD)封装内的基础上，双方将联手开发氮化镓(GaN)器件。出于这一原因，松下为英飞凌颁发了松下常关型GaN晶体管结构的许可证。该协议将有助于这两家公司制造高性能GaN器件。兼容性封装的GaN电源开关（目前任何其他硅基GaN器件都无法获得这种装置）将拥有两个可靠的来源，客户会从中获得额外优势。双方均同意不进一步披露本协议的任何细节。应用电力电子会议与设备展览会(APEC)将于2015年3月15至19日在北卡罗来纳州夏洛特市举办。届时两家公司将在APEC上首次展示双侧引脚小外形封装(DSO)的600V 70m器件样品。

作为一种下一代化合物半导体技术之一，硅基GaN一直以来都是重点关注的对象，一方面硅基GaN会使高功率密度和更小占用空间（如对电源和适配器而言）成为可能，另一方面会成为提高能源效率的关键因素。总之，基于硅基GaN技术的功率器件可运用于广泛的领域，从服务器机组中的电源等高压工业应用（所展示的600V GaN器件的潜在应用）到直流—直流(DC-DC)转换器等低压应用（如高端日用消费品）。一项IHS市场研究报告显示，功率半导体元件硅基GaN相关市场有望实现以超过50%的年复合增长率(CAGR)增长，销售额将从2014年的1500万美元增长至2023年的8亿美元。

英飞凌科技公司电源管理和多元市场部门总裁Andreas Urschitz 说道：“英飞凌致力于为客户提供广泛的一流产品和技术组合方案，其中包括基于氮化镓的可靠功率器件。我们相信，增强型硅基GaN开关将与相应的驱动程序和优化驱动方案一起为客户创造巨大的价值，而双源供应概念将有助于客户实现供应链的管理和稳定。”

松下电器半导体有限公司(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.)总裁Toru Nishida表示：“松下充分利用自身的复合半导体经验开发了配置简单、动力易于控制的常关型GaN功率技术。我们希望通过为英飞凌发放基于公司GaN功率技术的常关型GaN晶体管结构的许可证来加速GaN功率器件的扩张。公司将不断创新常关型GaN技术，以提供满足客户需求的解决方案。”

关于英飞凌

英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)是全球领先的半导体科技公司，致力于通过产品和系统方案为现代社会解决三大重要挑战：能源效率、移动性和安全性。2014财年（截止9月30日），公司销售额达43亿欧元，在全球范围内拥有约29,800名员工。2015年1月，英飞凌收购了总部位于美国的国际整流器公司(International Rectifier Corporation)。该公司是电源管理技术行业的领先供应商，年收入达11亿美元（2014财年，截止到6月29日），拥有约4,200 名员工。

英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国场外交易市场OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

关于松下

松下是一家致力于为住宅、非住宅、移动及个人应用用户开发和设计电子技术和解决方案的全球领军企业。自1918年成立以来，松下已将业务扩张至全球，目前在全世界范围内经营的附属公司有大约500家。截至2014年3月31日，其合并净销售额达7.74万亿日元。松下致力于通过各部门的创新来追求新的价值，并努力为客户创造更美好的生活和世界。