过去几年中，随着射频集成电路技术和系统结构的发展，移动电话中射频部分的很多分立器件已被替换。最为明显的就是接收机中分立的低噪声放大器（LNA）和中频（IF）滤波器已...
安华高宣布其28nm串行/解串器（SerDes）核心已经达到32Gbps的性能，并且可以承受高达40dB的通道损耗
联华电子（UMC）与IBM近期共同宣布，联华电子将加入IBM技术开发联盟，共同开发10nm CMOS工艺技术。
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集...
