过去几年中,随着射频集成电路技术和系统结构的发展,移动电话中射频部分的很多分立器件已被替换。最为明显的就是接收机中分立的低噪声放大器(LNA)和中频(IF)滤波器已...
安华高宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能,并且可以承受高达40dB的通道损耗
联华电子(UMC)与IBM近期共同宣布,联华电子将加入IBM技术开发联盟,共同开发10nm CMOS工艺技术。
近年来,有关将CMOS工艺在射频(RF)技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz,这无疑推动了集...