本文设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路，通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路，有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通...
RFaxis, Inc 日前宣布，该公司即将推出代号为“Nucleus”的纳米级射频产品系列。初始设备Nucleus45是一款采用40纳米CMOS工艺的完全集成的5GHz 802 11ac射频前端集成电...
设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术，在1 8V电压供电下，该射频开关收发两路在0 1-1 2GHz内的测试结果具...
比利时微电子研究中心（IMEC）和布鲁塞尔自由大学联合宣布，采用纯数字28nm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺实现了世界首个79GHz雷达发射器前端，输出功率大于10dBm，为...
本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上，提出的集成肖特基二极管设计方法，并且该方法在charted 0 35μm工艺中以MPW的方式得以实现。
过去几年中，随着射频集成电路技术和系统结构的发展，移动电话中射频部分的很多分立器件已被替换。最为明显的就是接收机中分立的低噪声放大器（LNA）和中频（IF）滤波器已...
CMOS半导体技术将在2024年7nm制程时代面临窘境，而石墨烯可望脱颖而出，成为用来取代这项技术的最佳选择──这是根据近日于美国加州举行的IEEE定制积体电路大会（CICC）一...
恩智浦推出TEF665x和TEF668x，这是其继基于RFCMOS的高性能单芯片AM/FM车载收音机调谐器大获成功之后推出的新一代产品。
RFMD宣布其RF7196D高功率、高性能CMOS功率放大器交货量已超过1百万片。超低成本的RF7196D是RFMD公司最新、最具创新性的CMOS功率放大器，革命性地将成本、尺寸和性能相结合。
恩智浦推出PCA9617A超快速模式(Fm+) I²C总线缓冲器，该产品专为使用DDR4 SDRAM存储器的新兴服务器应用而设计。PCA9617A是一款CMOS集成电路，针对超快速模式I²C总线或S...
