锗化硅(SiGe)的高频特性及应用

2012-03-06 来源:阿里巴巴 我要评论(0) 字号:

  锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来,是一种高于普通硅器件的高频半导体材料,应用领域非常广泛,尤其在新一代移动设备中,是良好的高功率放大器,例如:下变频器、低噪声放大器(LNA)、前置放大器(Preamplifier)、WLAN功率放大器等。由于SiGe技术具有高频特性,现已广泛应用在电子测试产品中,如泰克(Tektronix)公司的TDS7000系列高频示波器,带宽高达15GHz,那么什么是SiGe技术呢?

  SiGe技术具有很多极具吸引力的优点。作为硅材料中的“小兄弟,SiGe既拥有硅工艺的集成度和成本优势,又具有第3类到第5类半导体(GaAs)和磷化铟(lnP)速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感,就可以采用SiGe半导体技术集成高质量无源部件。此外,通过控制锗掺杂还可设计器件随温度进行变化。

  实验证明,SiGe器件的工作频率可高达350GHz,而普通的硅芯片的工作频率只能达到几个GHz,而且其电池速度为普通硅半导体的2到4倍。SiGe器件还在噪声、功效、散热性能方面优于第3至第5类双极晶体管,硅基片的热导率是砷化镓(GaAs)的3倍。

  Ge现已成为越来越被广泛应用的器件,其高频特性、击穿电压和集成能力可以满足多方面需要,是非常有前途的技术,能够满足一些可以预见的未来集成的需要。

关注我们
主题阅读: SiGe技术