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  • 基于LTCC工艺的微型宽带混频器及其应用

    基于LTCC工艺的微型宽带混频器及其应用

    低温共烧陶瓷(LTCC)材料的出现,对高性能器件的小型化很大促进。该技术也是Mini-Circuits公司最新一系列宽带、低成本混频器的基础。该系列...

    发布时间:2012-02-24
    关键词:LTCC工艺,混频器应用
  • 针对ISM应用的混频器充分发挥LTCC技术的优势

    针对ISM应用的混频器充分发挥LTCC技术的优势

    多数无线应用让人想到800至 900 MHz和1800至2000MHz的蜂窝网络频段,但是数量不断增加的无线应用开始使用非许可的工业-科学-医学(ISM)频...

    发布时间:2012-02-24
    关键词:ISM混频器,LTCC技术
  • 基于压控振荡器(VCO)的高性能锁相环(PLL)设

    基于压控振荡器(VCO)的高性能锁相环(PLL)设

    简介“锁相环”(PLL)是现代通信系统的基本构建模块。PLL通常用在无线电接收机或发射机中,主要提供“本振”(LO)功能;也可用于时钟信号分配...

    发布时间:2012-02-23
    关键词:压控振荡器,锁相环PLL
  • 一种应用于车载系统的GPS接收机射频前端的设计

    一种应用于车载系统的GPS接收机射频前端的设计

    1.引言 GPS(GLOBLE POSITIONING SYSTEM)是一种可以定时和测距的空间交会定点导航系统,它可以向全球用户提供连续、实时、高精度的三...

    发布时间:2012-02-21
    关键词:GPS接收机,射频前端
  • 高性能Sub-GHz无线芯片及应用方案介绍

    高性能Sub-GHz无线芯片及应用方案介绍

    当今世界,无线产品早已无处不在。在我们周围分布着大量的无线产品和应用系统,如气象站、汽车无钥匙进入系统(RKE)、喷灌系统、照明系...

    发布时间:2012-02-21
    关键词:Sub-GHz,无线芯片
  • LDMOS的性能与制造工艺

    与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可达14dB以上,而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右...

    发布时间:2012-02-14
    关键词:LDMOS,制造工艺
  • SiC上沉积的GaN最新技术

    为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频...

    发布时间:2012-02-14
    关键词:SiC,GaN技术
  • LDMOS结构/优点

    LDMOS结构/优点

    LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的,蜂窝通信市场的不...

    发布时间:2012-02-14
    关键词:LDMOS
  • 双向功率放大器的设计方案解析

    2.4G射频双向功放电路的设计与制作   在两个或多个网络互连时,无线局域网的低功率与高频率限制了其覆盖范围,为了扩大覆盖范围,可以引...

    发布时间:2012-01-11
    关键词:功率放大器
  • 基站接收器集成化的进展

    基站接收器集成化的进展

    面对移动电话数据业务需求量的持续攀升,基站设计人员被迫不断地增加带宽和降低成本。就安装和运作旨在满足增长需求的额外基站而言,影响...

    发布时间:2012-01-11
    关键词:基站接收器
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