p型半导体金刚石膜的磁阻效应

物理学报  2001, Vol. 50  Issue (8): 1616-1622

王万录1, 廖克俊1, 王蜀霞1, 方亮1, 孔春阳2, 马勇3
(1)重庆大学理学院应用物理系,重庆400044; (2)重庆大学理学院应用物理系,重庆400044;重庆师范学院物理系,重庆400047; (3)重庆师范学院物理系,重庆400047
THE MAGNETORESISTIVE EFFECT OF p-TYPE SEMICONDUCTING DIAMOND FILMS
WANG WAN-LU1, LIAO KE-JUN1, WANG SHU-XIA1, FANG LIANG1, KONG GHUN-YANG2, MA YONG3

摘要： 在p型硅(100)衬底上,采用衬底负偏压微波等离子体CVD方法进行了p型异质外延金刚石膜的生长.用O2等离子体刻蚀技术将金刚石膜刻蚀成长条形,利用四探针法在0—5T的磁场范围内测量了样品的磁阻.实验结果表明,p型异质外延金刚石膜可以产生较大的磁阻.在Fuchs-Sondheimer(F-S)薄膜理论的基础上考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解Boltzmann方程,利用并联电阻模型研究了p型异质外延金刚石膜的磁阻效应,给出了磁阻和金刚石膜厚度、迁移率、空穴密度及磁场的关系.讨论了表面散射和价带形变对p型异质外延金刚石膜磁阻的影响,初步解释了p型异质外延金刚石膜产生较大磁阻的原因

引用本文:   
孔春阳,王万录,廖克俊 等 . p型半导体金刚石膜的磁阻效应. 物理学报, 2001, 50(8): 1622. 
Cite this article:   
KONG GHUN-YANG,WANG WAN-LU,LIAO KE-JUN et al. THE MAGNETORESISTIVE EFFECT OF p-TYPE SEMICONDUCTING DIAMOND FILMS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(8): 1616-1622. 

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