纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性

物理学报  2001, Vol. 50  Issue (12): 2471-2476

周万城1, 万伟1, 赵东林2
(1)西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072; (2)西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072,北京化工大学碳纤维及复合材料研究所,北京100029
MICROWAVE PERMITTIVITY OF NANO Si/C/N OMPOSITE POWDERS
ZHOU WAN-CHENG1, WAN WEI1, ZHAO DONG-LIN2

摘要： 研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2—18GHz的微波介电特性,采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me∶CH3)为原料,用激光诱导气相反应法合成纳米Si/C/N复相粉体,复相粉体的粒径为20—30nm.纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的介电常量的实部(ε′)和虚部(ε″)以及介电损耗角正切(tan δ=ε″/ε′)随纳米粉体含量的增加而增大,ε′和ε″与纳米粉体体积分数(v)之间符合二次函

引用本文:   
赵东林,周万城,万伟. 纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性. 物理学报, 2001, 50(12): 2476. 
Cite this article:   
ZHAO DONG-LIN,ZHOU WAN-CHENG,WAN WEI. MICROWAVE PERMITTIVITY OF NANO Si/C/N OMPOSITE POWDERS. Acta Phys. Sin., 2001, 50(12): 2471-2476. 

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