| 资料语言： | 简体中文 |
| 资料类别： | PDF文档 |
| 文件大小： | 未知 |
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| 更新时间： | 2012-10-22 14:48:45 |
| 上传用户： | Hfss |
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某机型的layout 方案
以射频器件面为layer1 层 射频 基带
layer1： 器件 器件
layer2： signal 大部分地址和数据signal、部分模拟线（对应3 层是地）
layer3： GND 部分走线（包括键盘面以及2 层走不下的线）、GND
Layer4： 带状线 需穿过射频的基带模拟控制线(txramp_rf、afc_rf)、音频线、
基带主芯片之间的模拟接口线、主时钟线
Layer5： GND GND
Layer6： 电源层VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、VCORE(80
ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA）
Layer7： signal 键盘面的走线
Layer8： 器件 器件
以射频器件面为layer1 层 射频 基带
layer1： 器件 器件
layer2： signal 大部分地址和数据signal、部分模拟线（对应3 层是地）
layer3： GND 部分走线（包括键盘面以及2 层走不下的线）、GND
Layer4： 带状线 需穿过射频的基带模拟控制线(txramp_rf、afc_rf)、音频线、
基带主芯片之间的模拟接口线、主时钟线
Layer5： GND GND
Layer6： 电源层VBAT、LDO_2V8_RF（150mA）、VMEM（150mA）、VEXT（150mA）、VCORE(80
ｍA) 、VABB(50ｍA)、VSIM(20ｍA) 、VVCXO（１０ｍA）
Layer7： signal 键盘面的走线
Layer8： 器件 器件
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