“在MWO中进行GaN微波单片集成电路和离散功率放大器设计” 技术研讨会

2013-08-28 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:
主题活动: 功率放大器  AWR
主办单位: 上海优创 AWR公司
举办时间: 2013年10月13日 - 10月14日
举办地址: 上海光大会展中心西馆一层展厅
关注次数: 0
报名网站: http://www.imwexpo.com/siteengine.php?do=zh-cn/bmbg

活动介绍

IME/China第八届上海国际微波技术论坛将于10月23、24日两天在上海光大会展中心西馆一层展厅举行。论坛吸引了来自射频微波/天线/雷达/专家、研发工程师、技术经理、采购人员参加。

每年论坛都会吸引微波各领域的领先企业创新产品的发布,在本次论坛上您将看到来自AWR公司——全球射频/微波电子设计自动化(EDA)工具的领先供应商与行业领跑者,Mr. Milton Lien (大中华区技术经理) 做主题为“在MWO中进行GaN微波单片集成电路和离散功率放大器设计”专题演讲。

演讲公司:AWR
主讲人:Milton Lien
职务:大中华区技术经理

演讲主题(中/英文):
在MWO中进行GaN微波单片集成电路和离散功率放大器设计
GaN MMIC and discrete PA design in MWO

会议概要:

会议提出了GaN世界各地R&D和生产的介绍、GaN物理/设备结构、GaN器件大信号模型和一些Cree离散和UMS单片的例子。许多研究计划由军事、政府组织和美国、日本和欧洲的公司机构资助。它告知了观众与GaAs成熟的技术不同,GaN仍然是非常热门的R&D发展中。GaN HEMT的二维电子气有着高电子迁移率,击穿电场和每瓦特高峰功率下低电容特性。它使需要高电压的摆幅的应用可以有新的放大器的架构。GaN设备供应商提供的高品质大信号模型包含所有晶体管电流和寄生电容的非线性。这些模型允许设计师充满信心地设计增益、噪升指数、IP3、饱和功率、PAE等。UMS单片和Cree离散到480W的设计例子也会在这次演讲中展现。

届时,欢迎射频、微波和毫米波设计应用领域,手机,卫星通信系统和其他无线通信电子产品的设计者参会。

关于AWR
AWR公司是全球射频/微波电子设计自动化(EDA)工具的领先供应商与行业领跑者,其EDA产品广泛用于手机,卫星通信系统和其他无线通信电子产品的设计与仿真。应用AWR产品进行设计,工程师可以快速开发出高技术含量,稳定可靠的新产品,大幅提高设计效率,降低成本。AWR公司软件主要为射频集成电路(RFIC),多芯片组件(MCM),含有高频无线电路及系统的印刷电路板(PCB)及光电市场所应用。AWR公司提供了一套完整的EDA软件解决方案,真正简化了产品的概念,仿真到生产的整个流程。AWR公司也就产品库的建立和设计方法提供咨询服务。

关于IME/China2013展会及技术论坛
IME/China第八届上海国际微波及天线展览会及技术论坛将于10月23至25日在上海光大会展中心举行。作为中国乃至亚洲地区微波及天线技术领域规模最大的国际盛会,IME/China展出规模逐年扩大,观众稳步增长,国内外业界巨头竟相参与。同期举办的第八届微波技术论坛旨在推广射频微波与应用的最新发展趋势,吸引了来自射频微波/天线/雷达/专家、研发工程师、技术经理、采购人员参加。

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