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  • 东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 频率达Ku波段

    东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET),使该...

    发布时间:2007-12-27 16:12:00
  • 我国科学家发明新的单晶体管逻辑结构

    这项研究工作的核心内容是利用原子晶体硫化钼做出了新结构晶体管。在此基础上,复旦大学教授周鹏、张卫、曾晓洋团队发明了单晶体管逻辑结构的新原理。解决了如何用新材料、新原理和新架构继续延展摩尔定律的难题,实现了电路逻辑结构从无到有的原始创新。

    发布时间:2019-05-29 00:00:00
  • 为增强型GaN功率晶体管匹配门极驱动器

    氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。

    发布时间:2019-11-06 00:00:00
  • 埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管,效率为业界最高

    埃赋隆半导体(Ampleon)现在面向工业加热、除霜、等离子照明和医疗应用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶体管

    发布时间:2020-02-11 00:00:00
  • 德国弗劳恩霍夫研究所大幅提升GaN高频晶体管在1-2GHz的输出功率,100V,功率附加效率77.3%

    德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所IAF的研究人员大幅提升了氮化镓(GaN)基高频晶体管在1-2 GHz频率范围内的输出功率:器件的工作电压从50V翻倍至100V,功率附加效率(PAE)达到77 3%。

    发布时间:2020-04-02 00:00:00
  • e络盟供货安世半导体功率氮化镓场效应晶体管,助力电动车、5G和物联网应用降低功率损耗

    e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。该创新系列GaN FET外形尺寸小,可实现高功率密度及高效率功率转换,能够以较低的成本开发出更高效系统,同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。

    发布时间:2020-09-18 00:00:00
  • Ampleon推出射频功率晶体管BLF989E

    埃赋隆半导体(Ampleon)现已发布BLF989E射频功率晶体管,这一晶体管采用了最新的第九代高压(50V)LDMOS工艺技术。BLF989E是针对用于下一代UHF电视发射机所需的高效Doherty放大器而设计的。

    发布时间:2020-10-20 00:00:00
  • 3nm、5nm关键技术:复旦大学成功验证实现GAA晶体管

    来自复旦大学微电子学院的消息,该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术,验证了双层沟道厚度分别为0 6 1 2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA,Gate All Around),实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一,为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。

    发布时间:2020-12-18 00:00:00
  • GaN Systems出货2000万个GaN晶体管

    GaN Systems功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布其2000万个GaN晶体管的出货量,其工厂合作伙伴计划如期在2021年完成40倍的产能扩充。

    发布时间:2021-02-09 00:00:00
  • 氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

    GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。

    发布时间:2021-03-09 00:00:00
  • 埃赋隆推出全新高功能通用宽带LDMOS晶体管

    埃赋隆半导体(Ampleon)宣布推出两款新的宽带放大器系列--额定电压为32V的BLP15M9Sxxx器件和额定电压为50V的BLP15H9Sxxx器件, 從而进一步加强其先进而又高性价比的射频功率放大器解决方案的产品组合。

    发布时间:2021-08-31 00:00:00
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