-
高性能氮化镓晶体管研制成功
据美国物理学家组织网报道，法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶...
发布时间：2011-10-08 10:59:28 -
宜普推出全新氮化镓晶体管系列
宜普电源转换公司近日扩大其产品系列，推出高速、高效晶体管EPC8000器件系列。全新氮化镓晶体管系列，可以工作在数吉赫兹频段的功放电路中，使功率及射频晶体管的分界线变得模糊。
发布时间：2013-10-08 00:00:00 -
EPC推出采用具亚纳秒范围内开关速度的氮化镓晶体管
宜普电源转换公司（EPC）推出采用半桥式拓扑并配备一个板载栅极驱动器的开发板，可简化对超高频、高性能的EPC8000氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）系列进行评估。
发布时间：2014-03-20 00:00:00 -
科锐推出低成本雷达和数据链路用塑封氮化镓晶体管
近日，科锐公司推出业内最大功率连续波（CW）射频氮化镓（GaN）高电子迁移率（HEMT）晶体管，该晶体管采用双扁平无引脚（DFN）封装方式。该新型6 W和25 W器件主要针对的是成本敏感、功率小于100瓦的商用雷达和数据链路放大器市场
发布时间：2014-05-26 00:00:00 -
IEEE功率电子协会在线研讨会:氮化镓晶体管-在无线电源传送应用击败硅器件
IEEE功率电子协会（PELS）将于6月4日举行在线研讨会，届时Alex Lidow及Michael de Rooij将讨论eGaN®功率晶体管如何提高无线电源传送系统的效率。
发布时间：2014-05-26 00:00:00 -
EPC推出基于氮化镓晶体管的降压转换器演示板 专为电信、工业及医疗应用而设
EPC9118演示板展示采用具高频开关优势、电源电压达48 V或以上的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）可易于实现更小型及具更高效率的电源转换解决方案。
发布时间：2014-10-22 00:00:00 -
发布时间：2015-06-24 00:00:00
-
EPC出版关于如何发挥氮化镓晶体管优势的实用指南--《DC/DC转换手册》
宜普电源转换公司的《DC DC转换手册》与工程师分享如何在数据通信设备及其它功率转换应用中利用氮化镓（GaN）功率晶体管提高效率及功率密度。
发布时间：2015-09-25 00:00:00 -
IEEE电力电子学会（PELS）在线研讨会： “充分发挥采用芯片级封装的氮化镓晶体管及集成电路的优势”
IEEE电力电子学会（PELS）将于2016年11月3日（星期四）举行在线研讨会，届时将由Alex Lidow及Michael de Rooij主讲并与参加者分享采用芯片级封装的氮化镓功率器件的设计及PCB制造方法。
发布时间：2016-10-13 00:00:00 -
贸泽备货Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管 为航空电子设备提供理想选择
贸泽电子即日起备货Qorvo的QPD1025L碳化硅(SiC) 基氮化镓(GaN) 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1 8 kW，是业界功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) 射频晶体管，提供高信号完整性和长覆盖距离，非常适合L波段航空电子设备和敌我识别 (IFF) 应用。
发布时间：2018-05-31 00:00:00 -
Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管
埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。
发布时间：2022-04-18 00:00:00
