网页结果
按时间搜索
搜索历史
  • 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破

      2012年5月9日,中国上海讯-碳化硅功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq:CREE)将重新界定大功率应用的性能和能效,推出全新产品系列-5...

    发布时间:2012-05-10 09:25:54
  • 科锐发布Verilog-A无线射频器件模型 加速GaN在4G/LTE领域的采用

      2012年7月19日,科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出适用于 GaN 无线射频器件的全新 Verilog-A 非线性器件模型,该模型专为安捷伦的...

    发布时间:2012-07-20 11:08:24
  • 科锐新型GaN RF MMIC 工艺技术,实现高性能低成本

    科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺...

    发布时间:2012-07-20 11:21:24
  • 科锐推出150毫米4H N型碳化硅外延片

    LED领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片...

    发布时间:2012-09-12 10:23:42
  • 科锐扩展产品种类,推出低基面位错4H碳化硅外延片

    科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位错(LBPD)100 毫米 4H 碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位...

    发布时间:2012-09-20 09:38:07
  • 科锐推出新型碳化硅高频率功率模组,提供高效功率转换解决方案

    全业界首款完全认证且可量产的全碳化硅功率模组,设定新标杆。新型高频率模组额定电流100A,额定阻断电压1200V,可实现更高效、更小尺寸及更轻重量的系统,相比传统的硅技术可以帮助降低总体系统成本。

    发布时间:2012-11-19 09:11:44
  • 科锐碳化矽功率MOSFET提升太阳能转换器效率

    科锐公司与台达能源系统公司共同宣布成功达成太阳能逆变器业内一项计划,台达的新一代的太阳能转换器将科锐的碳化矽(SiC)功率 MOSFET纳入设计。碳化矽功率 MOSFET的加入,使下一代的太阳能逆变器在功率密度、效率和重量上达到重要的新里程碑。

    发布时间:2013-04-25 09:50:10
  • 科锐推出低成本雷达和数据链路用塑封氮化镓晶体管

    近日,科锐公司推出业内最大功率连续波(CW)射频氮化镓(GaN)高电子迁移率(HEMT)晶体管,该晶体管采用双扁平无引脚(DFN)封装方式。该新型6 W和25 W器件主要针对的是成本敏感、功率小于100瓦的商用雷达和数据链路放大器市场

    发布时间:2014-05-26 00:00:00
  • 科锐收购英飞凌科技射频功率业务

    科锐以约3点45 亿欧元收购英飞凌科技射频(RF) 功率业务。该交易拓展了科锐旗下Wolfspeed业务部在无线市场领域的新机遇。英飞凌将继续推动关键增长市场的发展:比如电动汽车、无人驾驶、可再生能源以及互联技术。该交易已完成并于今日生效。

    发布时间:2018-03-08 00:00:00
  • 科锐推出多款碳化硅基氮化镓器件,助力大型雷达加速发展

    Cree推出多款碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)器件,本次推出的器件采用MMIC技术,具备研发部署大型雷达系统所需的小型化、高效率、高可靠性、以及优异的功率密度等特点,可有效应对大型雷达所面临的挑战。

    发布时间:2021-04-19 00:00:00
  • 科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术,高效赋能新型超宽带5G

    科锐Cree宣布了与MaxLinear, Inc (美国纽约证券交易所上市代码:MXL)的成功合作。MaxLinear 是射频(RF)、模拟、数字和混合信号集成电路的领先供应商。

    发布时间:2021-07-05 00:00:00
相关搜索: