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松下开发出高输出功率GaN晶体管
松下半导体开发出了在25GHz毫米波频带中最大输出功率可达10.7W的GaN（氮化镓）晶体管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的硅底板上...
发布时间：2010-08-03 22:57:28 -
TriQuint推出具卓越增益的GaN晶体管 可使放大器尺寸减小50%
TriQuint推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓(GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。该氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。
发布时间：2012-12-18 18:40:00 -
安森美半导体和Transphorm推出600 V GaN晶体管用于紧凑型电源及适配器
参考设计令评估和实现新的基于GaN的晶体管和需要充分利用GaN器件的技术优势的AC-DC控制器成为事实
发布时间：2015-03-17 00:00:00 -
飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管，采用先进塑封
射频（RF）功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体[NYSE:FSL]日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品，飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力，并在提供业界最佳性能的GaN器件方面，已经取得了重大突破。
发布时间：2015-05-25 00:00:00 -
Qorvo GaN晶体管通过了严格的环境测试，其成熟度经验证符合公共安全和国防应用的要求
Qorvo近日宣布其15W GaN on SiC 宽带输入匹配晶体管已经完成了严格的环境测试，表明其可靠性适合应用于国防和紧急响应通信设备。
发布时间：2016-06-07 00:00:00 -
GaN Systems出货2000万个GaN晶体管
GaN Systems功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布其2000万个GaN晶体管的出货量，其工厂合作伙伴计划如期在2021年完成40倍的产能扩充。
发布时间：2021-02-09 00:00:00
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