东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET),使该...
科锐Cree宣布了与MaxLinear, Inc (美国纽约证券交易所上市代码:MXL)的成功合作。MaxLinear 是射频(RF)、模拟、数字和混合信号集成电路的领先供应商。
贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。此碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) 晶体管性能优异,可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。
德州仪器(TI)宣布其氮化镓(GaN)技术和C2000™ 实时微控制器(MCU),辅以台达(Delta Electronics)长期耕耘之电力电子核心技术,为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器(PSU)。
宏光半导体宣布集团之全资附属公司FastSemi Holding Limited已投资于氮化镓(「GaN」)技术之领导者GaN Systems Inc (「GaN Systems」),并同意透过认购GaN Systems之F-2系列可转换优先股进行战略投资。
Microchip宣布大幅扩展其氮化镓(GaN)射频(RF)功率器件产品组合,推出频率最高可达20千兆赫(GHz)的新款单片微波集成电路(MMIC)和分立晶体管。
宏光半导体宣布集团已于2021年12月1日达成及落实完成配售协议。集团拟将约6,430万港元用于加强LED、MiniLED、快速电池充电、氮化镓(「GaN」)设备及相关半导体产品之研发能力。
贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc ) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异,同时减少了组件总数,节省了宝贵的电路板空间。
全球知名砷化镓晶圆代工大厂稳懋半导体股份有限公司推出全新的0 12μm GaN-on-SiC技术,扩大其射频GaN技术组合。NP12-01毫米波(mmWave) 技术提供了更高的增益和更高的晶体管稳定性因数。