-
东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 频率达Ku波段
东芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布其已开发了用于Ku波段（12GHz到18GHz）频率范围的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET），使该...
发布时间：2007-12-27 16:12:00 -
科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G
科锐Cree宣布了与MaxLinear, Inc （美国纽约证券交易所上市代码：MXL）的成功合作。MaxLinear 是射频（RF）、模拟、数字和混合信号集成电路的领先供应商。
发布时间：2021-07-05 00:00:00 -
贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用
贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。此碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) 晶体管性能优异，可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。
发布时间：2021-08-23 00:00:00 -
TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器
德州仪器（TI）宣布其氮化镓（GaN）技术和C2000™ 实时微控制器（MCU），辅以台达（Delta Electronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。
发布时间：2021-09-28 00:00:00 -
宏光半导体公布于GaN Systems Inc.的战略投资
宏光半导体宣布集团之全资附属公司FastSemi Holding Limited已投资于氮化镓（「GaN」）技术之领导者GaN Systems Inc （「GaN Systems」），并同意透过认购GaN Systems之F-2系列可转换优先股进行战略投资。
发布时间：2021-11-25 00:00:00 -
Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合
Microchip宣布大幅扩展其氮化镓（GaN）射频（RF）功率器件产品组合，推出频率最高可达20千兆赫（GHz）的新款单片微波集成电路（MMIC）和分立晶体管。
发布时间：2021-12-02 00:00:00 -
宏光半导体完成配售14,346,000股
宏光半导体宣布集团已于2021年12月1日达成及落实完成配售协议。集团拟将约6,430万港元用于加强LED、MiniLED、快速电池充电、氮化镓（「GaN」）设备及相关半导体产品之研发能力。
发布时间：2021-12-02 00:00:00 -
发布时间：2021-12-06 00:00:00
-
GaN Systems HD半桥双极驱动开关评估板在贸泽开售
贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc ) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。
发布时间：2022-06-16 00:00:00 -
发布时间：2022-06-16 00:00:00
-
稳懋发布0.12μm RF GaN on SiC技术
全球知名砷化镓晶圆代工大厂稳懋半导体股份有限公司推出全新的0 12μm GaN-on-SiC技术，扩大其射频GaN技术组合。NP12-01毫米波(mmWave) 技术提供了更高的增益和更高的晶体管稳定性因数。
发布时间：2022-06-28 00:00:00
