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  • 东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 频率达Ku波段

    东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET),使该...

    发布时间:2007-12-27 16:12:00
  • 科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术,高效赋能新型超宽带5G

    科锐Cree宣布了与MaxLinear, Inc (美国纽约证券交易所上市代码:MXL)的成功合作。MaxLinear 是射频(RF)、模拟、数字和混合信号集成电路的领先供应商。

    发布时间:2021-07-05 00:00:00
  • 贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用

    贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。此碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) 晶体管性能优异,可为5G大规模MIMO、LTE和WCDMA系统中的蜂窝基站和射频应用提供支持。

    发布时间:2021-08-23 00:00:00
  • TI推出全新GaN技术,携手台达打造高效能服务器电源供应器

    德州仪器(TI)宣布其氮化镓(GaN)技术和C2000™ 实时微控制器(MCU),辅以台达(Delta Electronics)长期耕耘之电力电子核心技术,为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器(PSU)。

    发布时间:2021-09-28 00:00:00
  • 宏光半导体公布于GaN Systems Inc.的战略投资

    宏光半导体宣布集团之全资附属公司FastSemi Holding Limited已投资于氮化镓(「GaN」)技术之领导者GaN Systems Inc (「GaN Systems」),并同意透过认购GaN Systems之F-2系列可转换优先股进行战略投资。

    发布时间:2021-11-25 00:00:00
  • Microchip持续扩大氮化镓(GaN)射频功率器件产品组合

    Microchip宣布大幅扩展其氮化镓(GaN)射频(RF)功率器件产品组合,推出频率最高可达20千兆赫(GHz)的新款单片微波集成电路(MMIC)和分立晶体管。

    发布时间:2021-12-02 00:00:00
  • 宏光半导体完成配售14,346,000股

    宏光半导体宣布集团已于2021年12月1日达成及落实完成配售协议。集团拟将约6,430万港元用于加强LED、MiniLED、快速电池充电、氮化镓(「GaN」)设备及相关半导体产品之研发能力。

    发布时间:2021-12-02 00:00:00
  • 中科院微电子所在毫米波GaN MIS-HEMT器件研究方面取得突破

    近日,中国科学院微电子研究所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质,成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT

    发布时间:2021-12-06 00:00:00
  • GaN Systems HD半桥双极驱动开关评估板在贸泽开售

    贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc ) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异,同时减少了组件总数,节省了宝贵的电路板空间。

    发布时间:2022-06-16 00:00:00
  • Qorvo助力简化GaN PA偏置

    Qorvo推出 ACT41000-104-REF1,这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计,可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。

    发布时间:2022-06-16 00:00:00
  • 稳懋发布0.12μm RF GaN on SiC技术

    全球知名砷化镓晶圆代工大厂稳懋半导体股份有限公司推出全新的0 12μm GaN-on-SiC技术,扩大其射频GaN技术组合。NP12-01毫米波(mmWave) 技术提供了更高的增益和更高的晶体管稳定性因数。

    发布时间:2022-06-28 00:00:00
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