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  • IQE推出新一代SiC基GaN外延晶圆 对卫星通信和5G应用至关重要

    IQE已经确认提供商用100mm的SiC基GaN外延晶圆。使用该晶圆所生产的晶体管器件,得到了破纪录的高增益和高功率密度,并首次使工作于0 - 40 GHz频率范围内的有效高压 高功率宽带柔性单片微波集成电路(MMIC)设计成功。

    发布时间:2015-11-09 00:00:00
  • 硅基GaN射频功放:正走向大规模商用

    近日,MACOM在京召开新闻发布会,MACOM全球销售高级副总裁黄东铉语出惊人,“由MACOM发明的第四代GaN——硅基GaN,由于成本大为降低,将取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升,也将取代GaA和LDMOS的大部分市场。”

    发布时间:2015-12-07 00:00:00
  • 印度发布GAGAN卫星导航系统服务

    7月14日,据国外媒体报道,印度发布了GAGAN(GPS辅助型静地轨道增强导航系统)系统服务。计划为孟加拉湾、东南亚、印度洋、中东和非洲地区提供精准的导航服务。目前,全球已经建立的广域差分增强系统(SBAS)有:美国的WAAS、俄罗斯的SDCM、欧洲的EGNOS、日本的MSAS以及印度的GAGAN。

    发布时间:2015-12-18 00:00:00
  • 英飞凌推出用于5G无线基础设施的GaN射频功率晶体管

    英飞凌科技股份公司(Infineon)近日宣布推出碳化硅基(SiC)氮化镓(GaN)射频功率晶体管。该产品协助移动基站打造体积更小、功能更强大,且具弹性的发射器,支持蜂窝网络。此外,由于具备更高的数据传输量,强化用户经验,为5G技术的转型铺路。

    发布时间:2015-12-24 00:00:00
  • 遥感专家Shaun Quegan教授访问西电开展学术交流

    11月27日上午,应雷达信号处理重点实验室白雪茹教授的邀请,英国谢菲尔德大学Shaun Quegan教授在西安电子科技大学为西电师生做了题为“The ESA BIOMASS mission: current status and outstanding problems”精彩报告。

    发布时间:2015-12-25 00:00:00
  • EPC推出面向扩增实景和全自动驾驶汽车应用的全新eGaN® FET

    全新的EPC2040氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)具备超快速开关性能,可以支持需要更高分辨率及准确性、使用脉冲式镭射驱动器的应用,诸如在扩增实景(augmented reality)系统及全自动驾驶汽车中,利用光学遥感技术(LiDAR)、三维感测的导航系统。

    发布时间:2016-02-14 00:00:00
  • 美国实验室研发出GaN CMOS场效应晶体管

    由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体(CMOS)FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。

    发布时间:2016-03-03 00:00:00
  • GaN给予L波段雷达更高的功率和灵活性

    GaN器件提升了效率,并且具有优异的功率处理能力,以及更高的击穿电压,使得GaN器件在L波段雷达的应用性能上要比硅LDMOS器件更胜一筹。

    发布时间:2016-03-29 00:00:00
  • Panasonic高效GaN电源解决方案 登陆Mouser

    贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始分销Panasonic氮化镓(GaN)解决方案。为满足现代电源的效率和功率密度设计需要,设计工程师一直在寻找GaN技术等可替代传统MOS技术的方案,以节省能源、降低各种工业和消费电力交换系统的尺寸。

    发布时间:2016-03-29 00:00:00
  • ADI公司的Gabriele Manganaro晋升为IEEE会士

    ADI 公司工程总监Gabriele Manganaro,以其在高速转换器设计方面的卓越领导才干,被任命为IEEE(美国电子电气工程师协会)会士。晋升为IEEE 会士需要经过非常严格的评估程序,每年仅有不到0 1%的IEEE 投票会员有幸获此殊荣。

    发布时间:2016-04-08 00:00:00
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