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  • 英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件

    英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。

    发布时间:2015-03-20 00:00:00
  • 英飞凌扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合

    英飞凌科技今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前,英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台,包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。

    发布时间:2015-03-25 00:00:00
  • TI推出业界第一款80V半桥GaN FET模块

    德州仪器(TI) 近日推出了业界第一款80 V、10 A 整合氮化镓(GaN) 场效应晶体管(FET) 功率级原型机,此原型机由一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET 组成—这些均在一个设计简单的四方平面无接脚(QFN) 封装内。

    发布时间:2015-04-01 00:00:00
  • EPC扩大DrGaNPLUS Plug-and-Play评估板系列--面向小尺寸、高功率转换器设计

    EPC9201(30 V、40 A)及EPC9203(80 V、20 A)DrGaNPLUS评估板展示出采用具备高频开关性能的eGaN®功率晶体管可大大缩减电源转换系统的尺寸及提高效率。

    发布时间:2015-04-02 00:00:00
  • 三菱电机推出用于4G通信基站的3.5GHz GaN HEMT

    三菱电机株式会社近日宣布开发出一种氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),能提供高输出功率和效率,工作在3 5GHz频段,可用于第四代(4G)移动通信基站。该器件样片将在2015年4月1日推出。

    发布时间:2015-04-03 00:00:00
  • IHS:全球SiC和GaN功率半导体市场2023年预计达到25亿美元

    据市场调研机构IHS公司在《SiC和GaN功率半导体世界市场-2014版》报告中指出,受到混合和电动汽车、光伏(PV)逆变器和其他应用对电力供应需求增长的激励,全球碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体新兴市场在未来10年增长17倍,从2013年的1 5亿美元增长到2023年的25亿美元。

    发布时间:2015-04-15 00:00:00
  • EPC公司的全新eGaN功率晶体管突破了硅器件成本速度壁垒

    宜普电源转换公司宣布推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率晶体管,专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓(GaN)晶体管的普及化的最后一个壁垒,而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

    发布时间:2015-05-04 00:00:00
  • 松下将推出业界最小的增强型600V GaN功率晶体管封装*

    松下公司(Panasonic)日前宣布将推出业界最小的增强型[1]氮化镓(GaN)[2]功率晶体管(X-GaNTM)**封装。GaN封装采用8x8双平面无引线(DFN)表面粘装型封装。可将该封装安装在传统上难以安装的极小区域,有助于降低工业和消费电子设备的功耗。

    发布时间:2015-05-22 00:00:00
  • 飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管,采用先进塑封

    射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体[NYSE:FSL]日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面,已经取得了重大突破。

    发布时间:2015-05-25 00:00:00
  • GaN Systems携60A GaN氮化镓功率晶体管亮相上海PCIM Asia

    新款 GS66516T 650V 增强型功率开关采用上层冷却、低电感 GaNPX™ 封装和超低 FOM Island Technology™,是高频率和高效功率转换的完美选择

    发布时间:2015-06-29 00:00:00
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