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Transphorm推出第四代GaN平台及SuperGaN功率FET
Transphorm，Inc 近日宣布推出其第四代GaN平台。与前几代GaN技术相比，Transphorm的新一代技术在性能、可设计性和成本方面都有显着进步。
发布时间：2020-04-17 00:00:00 -
【泰克电源设计与测试】致工程师系列之三：高效GaN电源设计八部曲，泰克系列视频课堂实操秘籍
由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低，宽禁带半导体（SiC 和GaN）现在配合传统硅一同用于汽车和RF 通信等严苛应用中。随着效率的提高，对Si、SiC和GaN器件进行安全、精确的测试，让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。
发布时间：2020-05-11 00:00:00 -
氮化镓|Yole:到2025年GaN射频市场将超过20亿美元，军工市场保持平稳发展，军用市场CAGR为22%
根据法国市场研究和战略咨询公司Yole的年度射频GaN技术与市场报告，到2025年，GaN射频市场总额将从7 4亿美元增加到超过20亿美元，复合年增长率为12%。
发布时间：2020-06-17 00:00:00 -
Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代650V氮化镓(GaN)技术
Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。
发布时间：2020-06-23 00:00:00 -
【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四：宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证
第三代宽禁带半导体器件GaN和SiC的出现，推动着功率电子行业发生颠覆式变革。新型开关器件既能实现低开关损耗，又能处理超高速dv dt转换，且支持超快速开关切换频率，带来的测试挑战也成了工程师的噩梦。
发布时间：2020-08-11 00:00:00 -
提速5G商用化 江苏省攻关“氮化镓（GaN）毫米波功率放大器”芯片！
瞄准国家重大需求，高校、企业相互协同，以“内生”力量打通科技创新的难点，日前，由苏州能讯高能半导体公司、东南大学等单位共同参与的项目“氮化镓中高频芯片设计及制备工艺关键技术研究”，入选省重点研发计划项目。
发布时间：2020-09-14 00:00:00 -
美研发新型毫米波GaN技术
美国军事研究人员正在要求位于加利福尼亚州马里布的HRL实验室的集成电路专家改进用于航空航天和国防应用的射频和微波电路。
发布时间：2020-09-17 00:00:00 -
Yole：2025年，GaN RF市场规模将超过20亿美元
报告指出，自20 年前首款商用产品问世以来，GaN 技术已成为LDMOS 和GaAs 在RF PA 市场中的重要竞争对手。凭借其在4G LTE 电信基础设施市场的渗透力，预计GaN on SiC 将在5G Sub-6Hz RRH 中保持强大的地位。
发布时间：2020-09-17 00:00:00 -
Transphorm发布高压GaN的最新可靠性数据
Transphorm发布了有关其GaN技术的质量和可靠性(Q+R)的最新信息。目前，Transphorm的GaN平台在实际应用中的失效率(FIT)低于每十亿小时1次故障——这是一种非常高的可靠性。
发布时间：2020-11-02 00:00:00 -
GaN系统2021年预测：随着GaN技术从早期采用到主流接受，达到了临界点
在过去的一年中，GaN Systems 通过创新的电源系统设计应用清楚地展示了市场领导地位，该应用通过使用GaN技术来设计更轻，更小，成本更低和更高效的电源系统，从而消除了传统硅的局限性。那些采用GaN的公司是最早采用该技术的公司。在2021年，人们认为的风险因素将从不采用GaN技术转变为被遗忘的风险。
发布时间：2020-12-10 00:00:00