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东芝发布基于GaN的新款功率场效应晶体管 频率达Ku波段
东芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布其已开发了用于Ku波段（12GHz到18GHz）频率范围的氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET），使该...
发布时间：2007-12-27 16:12:00 -
RFMD推首款绿色GaN CATV放大器模块
RFMicroDevices,Inc.(RFMD)新发布「绿色」的氮化镓(GaN)CATV放大器模块──D10040200PL1及D10040230PL1，主要应用包括CATV骨干放大器、延...
发布时间：2009-11-05 21:42:56 -
发布时间：2010-01-20 20:59:28
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恩智浦现场展示下一代氮化镓技术产品 引领GaN技术潮流
高性能射频产品的世界领先者恩智浦针对高效率射频功率应用分别推出LDMOS和GaN两种解决方案 中国上海，2011年6月6日讯--在本周举行的2011年...
发布时间：2011-06-20 11:03:56 -
TriQuint 发布最新 GaN 器件
作为氮化镓（GaN）研发领导者，TriQuint公司为最新推出的封装型GaN器件而感到骄傲。T1G6000528-Q3提供了高达7W的输出功率和在宽带宽范围内...
发布时间：2010-05-26 21:20:23 -
Toshiba推出高增益50W GaN HEMT功率放大器
Toshiba推出C-BAND SATCOM应用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓...
发布时间：2010-06-10 21:57:49 -
RFMD为功率器件产品和代工客户推出rGaN-HVT工艺技术
北卡罗来纳州格林斯伯勒，2012 年4月26日 -- 高性能射频组件及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（...
发布时间：2012-05-09 16:18:30 -
松下开发出高输出功率GaN晶体管
松下半导体开发出了在25GHz毫米波频带中最大输出功率可达10.7W的GaN（氮化镓）晶体管。该产品在大口径晶圆获取便利、量产性较高的硅底板上...
发布时间：2010-08-03 22:57:28
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