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贸泽开售TI LMG1020低侧GaN驱动器 为高速LiDAR和TOF应用提供理想选择
贸泽电子即日起备货TI的LMG1020氮化镓(GaN) 驱动器。此款单通道低侧驱动器可为要求速度的应用提供高效率、高性能的设计，适用于LiDAR、飞行时间激光驱动器、脸部识别、扩增实境和E类无线充电器等应用。
发布时间：2018-11-01 00:00:00 -
科技部重点研发计划：用于中等功率通用电源的高效率GaN电力电子技术专项年度执行会议在京顺利召开
由苏州能讯高能半导体有限公司牵头，联合国内11家氮化镓领域的知名企业和高校、科研院所共同承担的国家重点研发计划--“用于中等功率通用电源的高效率GaN电力电子技术”经过一年的执行，已经取得了阶段性的成果。为了保证项目研发任务顺利完成，项目于近日在北京西郊宾馆召开了2018年年度项目总结会议。
发布时间：2018-12-12 00:00:00 -
增强Qorvo 5G领先优势，揭秘行业首款28GHz GaN前端模块
Qorvo凭借行业首款28 Ghz 氮化镓(GaN) 前端模块(FEM)——QPF4001 FEM，扩大了其5G 业务范围。在基站设备制造商涉足5G 之后，这款新FEM 可以帮助他们降低总体系统成本。
发布时间：2018-12-14 00:00:00 -
Transphorm出货超过25万件GaN功率器件，再次彰显高容量可扩展性
设计和制造首批获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的650 V氮化镓(GaN)半导体的领导者Transphorm Inc 透露，该公司已出货超过25万件高电压GaN FET。这些器件由该公司位于日本会津若松市的晶圆代工厂生产，将在客户的大规模生产应用中使用。
发布时间：2018-12-18 00:00:00 -
技术GaN货丨基于模型的GaN PA设计基础知识：内部I-V波形的定义及其必要性
对于氮化镓(GaN) 功率放大器，设计师需要考虑非线性操作，包括RF 电流-电压(I‑V) 波形会发生的状况。优化非线性行为设计的一种方法就是仿真内部I-V 波形。
发布时间：2018-12-25 00:00:00 -
为什么这么多人看好氮化镓（GaN）
未来半导体技术的提升，除了进一步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。
发布时间：2019-02-18 00:00:00 -
为何要用GaN技术来实现5G通信？这些特性是关键！
在射频和功率应用中，氮化镓（GaN）技术正日益盛行已成为行业共识。由于5G需要大规模MIMO和Sub-6GHz部署，需要使用毫米波（mmWave）频谱，而这将要面对一系列的挑战。GaN技术可以在sub-6GHz 5G应用中发挥重要作用，有助于实现更高数据速率等目标。
发布时间：2019-02-25 00:00:00 -
射频GaN需求飙升，专利申请战全面启动
电信和国防应用推动射频氮化镓（RF GaN）蓬勃发展。根据市调机构Yole调查指出，RF GaN产业于2017~2023年间的年复合增长率达到23%。随着工业不断地发展，截至2017年底，RF GaN市场产值已经接近3 8亿美元，2023年将达到13亿美元以上。
发布时间：2019-02-27 00:00:00 -
MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能，支持5G无线网络建设
MACOM和意法半导体宣布，将在2019年扩大ST工厂150mm 硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设，基于2018年初MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。
发布时间：2019-03-01 00:00:00 -
贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器 高频应用的好选择
贸泽电子即日起开始备货TI LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓(GaN) 电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。
发布时间：2019-09-27 00:00:00