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为何要用GaN技术来实现5G通信？这些特性是关键！
在射频和功率应用中，氮化镓（GaN）技术正日益盛行已成为行业共识。由于5G需要大规模MIMO和Sub-6GHz部署，需要使用毫米波（mmWave）频谱，而这将要面对一系列的挑战。GaN技术可以在sub-6GHz 5G应用中发挥重要作用，有助于实现更高数据速率等目标。
发布时间：2019-02-25 00:00:00 -
射频GaN需求飙升，专利申请战全面启动
电信和国防应用推动射频氮化镓（RF GaN）蓬勃发展。根据市调机构Yole调查指出，RF GaN产业于2017~2023年间的年复合增长率达到23%。随着工业不断地发展，截至2017年底，RF GaN市场产值已经接近3 8亿美元，2023年将达到13亿美元以上。
发布时间：2019-02-27 00:00:00 -
MACOM和意法半导体携手合作提高硅基GaN产能，支持5G无线网络建设
MACOM和意法半导体宣布，将在2019年扩大ST工厂150mm 硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设，基于2018年初MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。
发布时间：2019-03-01 00:00:00 -
贸泽推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驱动器 高频应用的好选择
贸泽电子即日起开始备货TI LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓(GaN) 电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型功率转换应用进行了优化。
发布时间：2019-09-27 00:00:00 -
面向商业和军事应用的Qorvo QPA2308 60W GaN功率放大器登陆贸泽
贸泽电子即日起开始分销Qorvo的QPA2308 MMIC 功率放大器。QPA2308专为商业和军事应用而设计，能为5至6 GHz 射频(RF) 设计提供高功率密度和附加功率效率
发布时间：2019-10-31 00:00:00 -
为增强型GaN功率晶体管匹配门极驱动器
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。
发布时间：2019-11-06 00:00:00 -
EPC推出基于车规级氮化镓（eGaN® ）技术的飞行时间（ToF）演示板
EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1 2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。
发布时间：2020-01-15 00:00:00 -
Qorvo®推出业内最高性能的宽带GaN功率放大器
Qorvo推出全球性能最高的宽带功率放大器(PA)---TGA2962。Qorvo 今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计，拥有多项性能突破：它能够在2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的10 瓦RF 功率以及13dB 大信号增益和20-35% 的功率附加效率。
发布时间：2020-03-03 00:00:00 -
用于HZZH 98%高效功率模块的Transphorm GaN
Transphorm Inc 是一家设计和制造最高可靠性产品的领先公司，其研发了第一台符合JEDEC-和AEC-Q101标准的高压氮化镓（GaN）功率半导体元件。
发布时间：2020-03-18 00:00:00 -
氮化镓(GaN)接替硅，支持高能效、高频电源设计
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。
发布时间：2020-03-18 00:00:00