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GaN器件正引领功率RF应用进入5G和无线充电革命
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF（射频）技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
发布时间：2017-08-14 00:00:00 -
三菱电机发售卫星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC
三菱电机株式会社于11月1日发售Ka波段卫星通信地面站功率放大器的高功率高频率晶体管新产品，即实现了高达8W的输出功率和兼具功率放大信号低失真特性的“卫星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC”。该产品具有更高输出和更低失真特性，将有助于卫星通信地面站的小型化。
发布时间：2017-11-07 00:00:00 -
面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓（eGaN）技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流
EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)，由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流，因此可以提高激光雷达（LiDAR）系统所侦测的资料的质素，包括资料的准确性、精确度及制作速度。
发布时间：2017-12-04 00:00:00 -
纳微半导体 (Navitas) 展示氮化镓(GaN) 功率IC
纳微(Navitas)半导体宣布，在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会(CPSSC)上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。
发布时间：2017-11-14 00:00:00 -
GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、功率越来越高
电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不断需要更高的分辨率，这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作，新设计通常也会有进一步增加带宽的要求。
发布时间：2017-12-27 00:00:00 -
RF GaN市场应用、技术及衬底-2018版
过去两三年来，RF GaN市场快速发展，已经重塑整个RF功率产业。截止2017年末，RF GaN整体市场规模已经接近3 8亿美元。RF GaN在各个市场的渗透率，尤其是电信和国防应用市场，在过去两年里实现了突破，在这两个应用领域的复合年增长率超过了20%。随着5G网络应用的到来，RF GaN市场预计将在2019~2022期间获得另一轮爆发增长。
发布时间：2018-01-31 00:00:00 -
贸泽开售ADI HMC8205 GaN功率放大器 为宽带设计提供理想选择
贸泽电子即日起备货Analog Devices, Inc的HMC8205氮化镓(GaN) 功率放大器。此款高度集成的宽带MMIC射频(RF) 放大器覆盖300 MHz至6 GHz 频谱，对于需要支持脉冲或连续波(CW) 的无线基础设施、雷达、公共移动无线电、通用放大测试设备等应用，它能给系统设计人员带来巨大好处。
发布时间：2018-03-06 00:00:00 -
比利时EpiGaN公司参与欧盟新启动的“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台”项目，提供的核心GaN/Si射频材料技术
比利时EpiGaN公司主要生产功率开关、射频和传感器用的硅基氮化镓（GaN-on-Si）和碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延晶圆，该公司是欧盟在2018年1月份启动的为期36个月的欧盟研究项目SERENA（硅基高效毫米波欧洲系统集成平台）的重要成员。
发布时间：2018-03-09 00:00:00 -
Qorvo®推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管
Qorvo推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）RF晶体管--- QPD1025。QPD1025在65 V下运行1 8KW，提供出色的信号完整性和更大的范围，这对L频段航空电子应用来说至关重要。
发布时间：2018-03-21 00:00:00 -
发布时间：2018-03-23 00:00:00
