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  • QORVO® GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽

    Qorvo推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,该晶体管系列可以提高性能、增强功能,并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。

    发布时间:2017-06-29 00:00:00
  • 世强联手EPC,合力布局国内GaN功率器件市场

    近日,国内著名半导体分销商--世强宣布与基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商EPC(宜普电源转换公司)签约合作,作为EPC中国区代理,销售其全线产品。

    发布时间:2017-07-07 00:00:00
  • 利用GaN技术实现5G移动通信:为成功奠定坚实基础

    Qorvo 密切关注着新兴的5G 标准。令人兴奋的是,5G 可能包括适用于高数据带宽连接的毫米波(mmW) 功能。随着PC 电路板空间日益紧凑且5G 环境中的频率越来越高,氮化镓(GaN) 技术对于RF 应用来说越来越具有吸引力。

    发布时间:2017-07-19 00:00:00
  • GaN器件正引领功率RF应用进入5G和无线充电革命

    未来五年,通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场,还包括3W应用RF通信基础设施应用,并且,5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。

    发布时间:2017-08-14 00:00:00
  • 三菱电机发售卫星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC

    三菱电机株式会社于11月1日发售Ka波段卫星通信地面站功率放大器的高功率高频率晶体管新产品,即实现了高达8W的输出功率和兼具功率放大信号低失真特性的“卫星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC”。该产品具有更高输出和更低失真特性,将有助于卫星通信地面站的小型化。

    发布时间:2017-11-07 00:00:00
  • 面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓(eGaN)技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流

    EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流,因此可以提高激光雷达(LiDAR)系统所侦测的资料的质素,包括资料的准确性、精确度及制作速度。

    发布时间:2017-12-04 00:00:00
  • 纳微半导体 (Navitas) 展示氮化镓(GaN) 功率IC

    纳微(Navitas)半导体宣布,在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会(CPSSC)上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。

    发布时间:2017-11-14 00:00:00
  • GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、功率越来越高

    电信行业不断需要更高的数据速率,工业系统不断需要更高的分辨率,这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作,新设计通常也会有进一步增加带宽的要求。

    发布时间:2017-12-27 00:00:00
  • RF GaN市场应用、技术及衬底-2018版

    过去两三年来,RF GaN市场快速发展,已经重塑整个RF功率产业。截止2017年末,RF GaN整体市场规模已经接近3 8亿美元。RF GaN在各个市场的渗透率,尤其是电信和国防应用市场,在过去两年里实现了突破,在这两个应用领域的复合年增长率超过了20%。随着5G网络应用的到来,RF GaN市场预计将在2019~2022期间获得另一轮爆发增长。

    发布时间:2018-01-31 00:00:00
  • 贸泽开售ADI HMC8205 GaN功率放大器 为宽带设计提供理想选择

    贸泽电子即日起备货Analog Devices, Inc的HMC8205氮化镓(GaN) 功率放大器。此款高度集成的宽带MMIC射频(RF) 放大器覆盖300 MHz至6 GHz 频谱,对于需要支持脉冲或连续波(CW) 的无线基础设施、雷达、公共移动无线电、通用放大测试设备等应用,它能给系统设计人员带来巨大好处。

    发布时间:2018-03-06 00:00:00
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