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QORVO® GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽
Qorvo推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，该晶体管系列可以提高性能、增强功能，并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。
发布时间：2017-06-29 00:00:00 -
世强联手EPC，合力布局国内GaN功率器件市场
近日，国内著名半导体分销商--世强宣布与基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商EPC（宜普电源转换公司）签约合作，作为EPC中国区代理，销售其全线产品。
发布时间：2017-07-07 00:00:00 -
利用GaN技术实现5G移动通信：为成功奠定坚实基础
Qorvo 密切关注着新兴的5G 标准。令人兴奋的是，5G 可能包括适用于高数据带宽连接的毫米波(mmW) 功能。随着PC 电路板空间日益紧凑且5G 环境中的频率越来越高，氮化镓(GaN) 技术对于RF 应用来说越来越具有吸引力。
发布时间：2017-07-19 00:00:00 -
GaN器件正引领功率RF应用进入5G和无线充电革命
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF（射频）技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
发布时间：2017-08-14 00:00:00 -
三菱电机发售卫星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC
三菱电机株式会社于11月1日发售Ka波段卫星通信地面站功率放大器的高功率高频率晶体管新产品，即实现了高达8W的输出功率和兼具功率放大信号低失真特性的“卫星通信地面站Ka波段GaN HEMT MMIC”。该产品具有更高输出和更低失真特性，将有助于卫星通信地面站的小型化。
发布时间：2017-11-07 00:00:00 -
面向激光雷达应用并采用EPC氮化镓（eGaN）技术的150安培开发板可以驱动5 纳秒脉宽的脉冲电流
EPC9126HC开发板采用具备超快速功率转换特性的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)，由于可以驱动高达150 A及可低至5 ns脉宽的脉冲大电流，因此可以提高激光雷达（LiDAR）系统所侦测的资料的质素，包括资料的准确性、精确度及制作速度。
发布时间：2017-12-04 00:00:00 -
纳微半导体 (Navitas) 展示氮化镓(GaN) 功率IC
纳微(Navitas)半导体宣布，在11月3号到6号在上海举办的中国电源学会学术年会(CPSSC)上展示最新的氮化镓(GaN)功率IC及其应用。
发布时间：2017-11-14 00:00:00 -
GaN打破壁垒—RF功率放大器的带宽越来越宽、功率越来越高
电信行业不断需要更高的数据速率，工业系统不断需要更高的分辨率，这助推了满足这些需求的电子设备工作频率的不断上升。许多系统可以在较宽的频谱中工作，新设计通常也会有进一步增加带宽的要求。
发布时间：2017-12-27 00:00:00 -
RF GaN市场应用、技术及衬底-2018版
过去两三年来，RF GaN市场快速发展，已经重塑整个RF功率产业。截止2017年末，RF GaN整体市场规模已经接近3 8亿美元。RF GaN在各个市场的渗透率，尤其是电信和国防应用市场，在过去两年里实现了突破，在这两个应用领域的复合年增长率超过了20%。随着5G网络应用的到来，RF GaN市场预计将在2019~2022期间获得另一轮爆发增长。
发布时间：2018-01-31 00:00:00 -
贸泽开售ADI HMC8205 GaN功率放大器 为宽带设计提供理想选择
贸泽电子即日起备货Analog Devices, Inc的HMC8205氮化镓(GaN) 功率放大器。此款高度集成的宽带MMIC射频(RF) 放大器覆盖300 MHz至6 GHz 频谱，对于需要支持脉冲或连续波(CW) 的无线基础设施、雷达、公共移动无线电、通用放大测试设备等应用，它能给系统设计人员带来巨大好处。
发布时间：2018-03-06 00:00:00