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  • 苏州纳米所在GaN基功率器件界面控制研究中取得进展

    氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高电流密度、高开关速度和低导通电阻等优点,受到人们的广泛关注,使得GaN基HEMT器件成为下一代功率器件强有力的竞争者。然而,GaN器件与传统Si基器件不同,很难通过热氧化的方法获得低界面态密度的绝缘介质层。

    发布时间:2017-04-25 00:00:00
  • 中电五十五所三维GaN高线性微波功率器件技术获突破

    近日,中国电科第五十五研究所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊上的论文“High-Linearity AlGaN GaN FinFETs for Microwave Power Applications”(三维鳍式GaN高线性微波功率器件)被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道,受到国内外业界关注。

    发布时间:2017-04-25 00:00:00
  • GaN是如何转换射频能量及其在烹饪中的应用【1】— 价格和效率抑制了增长

    在上世纪70 年代早期,磁控管首先在微波炉中进入了广泛的商业应用,但整个射频能量市场的发展相对还比较缓慢。如今,已经有了各种各样的应用,包括在工业和消费的烹饪、干燥、照明、医疗和汽车等方面的射频能量应用。

    发布时间:2017-05-08 00:00:00
  • GaN是如何转换射频能量及其在烹饪中的应用【2】— 烹饪应用中的射频能量

    当今射频能量的最大潜在市场之一是在烹饪和加热方面的应用。现在全球每年微波炉的制造产量远超7000 万台,从低成本的消费类产品到高端的专业和工业加热炉,它的产品类型跨度很广。

    发布时间:2017-05-08 00:00:00
  • GaN在射频应用中脱颖而出的三大原因

    在半导体领域,GaN 通常是高温下(约为1,100°C)在异质基板(射频应用中为碳化硅[SiC],电源电子应用中为硅[Si])上通过金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。

    发布时间:2017-05-24 00:00:00
  • 诺基亚携三菱电机等开发全球首个超快GaN包络追踪功率放大器

    据外媒报道,三菱电机公司、诺基亚贝尔实验室和加州圣地亚哥无线通信中心日前宣布,他们共同开发了世界上第一个超高速氮化镓(GaN)包络追踪功率放大器,能支持高达80MHz的调制带宽,预计还能降低下一代无线基站的能耗。

    发布时间:2017-06-01 00:00:00
  • ADI宽带GaN MMIC放大器设计紧凑,提供高增益、高功率和高效率

    ADI推出一款宽带氮化镓(GaN)功率放大器HMC8205,其设计紧凑,在同类产品中性能最佳。高集成度HMC8205覆盖300 MHz至6 GHz频谱,对于需要支持脉冲或连续波(CW)的无线基础设施、雷达、公共移动无线电、通用放大测试设备等应用,它能给系统设计人员带来巨大好处。

    发布时间:2017-06-07 00:00:00
  • QORVO® GAN-ON-SIC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽

    Qorvo推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,该晶体管系列可以提高性能、增强功能,并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。

    发布时间:2017-06-29 00:00:00
  • 世强联手EPC,合力布局国内GaN功率器件市场

    近日,国内著名半导体分销商--世强宣布与基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商EPC(宜普电源转换公司)签约合作,作为EPC中国区代理,销售其全线产品。

    发布时间:2017-07-07 00:00:00
  • 利用GaN技术实现5G移动通信:为成功奠定坚实基础

    Qorvo 密切关注着新兴的5G 标准。令人兴奋的是,5G 可能包括适用于高数据带宽连接的毫米波(mmW) 功能。随着PC 电路板空间日益紧凑且5G 环境中的频率越来越高,氮化镓(GaN) 技术对于RF 应用来说越来越具有吸引力。

    发布时间:2017-07-19 00:00:00
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