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  • 手机RF MEMS发展潜力大 探微携手台系IC设计业抢市

    台系微机电(MEMS)晶圆厂探微科技副董事长兼执行长胡庆建表示,随着消费性电子产品热卖,预期全球MEMS年产值在2010年时可以重回65亿~70亿美...

    发布时间:2010-09-07 21:15:15
  • 高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关

    0 引 言 RF MEMS开关在隔离度、插入损耗、功耗以及线性度等方面,具有比FET或pin二极管传统微波固态开关无法比拟的优势,从而获得了广...

    发布时间:2009-06-04 21:38:49
  • 低压驱动RF MEMS开关设计与模拟--用于MEMS开关缺陷的改进

    近年来射频微电子系统(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到广泛关注,特别是MEMS开关构建的移相器与天线,是实现上万单元相控阵雷达的...

    发布时间:2010-11-05 21:15:24
  • RF MEMS──智能手机天线救星

    对正在为iPhone4可能断话而感到沮丧的使用者来说,射频微机电系统(RFMEMS)也许可以提供解决之道──RFMEMS半导体的性能将可用于改良手机天...

    发布时间:2010-09-02 21:57:29
  • RF MEMS、软件无线电 未来LTE手机的两大关键技术

    射频工程师对射频前端器件提出了更高的要求,促使射频半导体厂商加速研发创新RF技术与解决方案,包括RF MEMS及软件定义无线电(SDR)、天线频率调整等新兴技术,已受到终端设备制造商关注。

    发布时间:2013-07-05 00:00:00
  • RF MEMS、软件无线电 未来LTE手机的两大关键技术

    随着LTE多频多模智能手机时代的来临,新一代智能手机要求在2G、3G模式基础上增加支持LTE模式及相应的工作频段,并实现国际漫游的工作频段,频段总量接近40个。频段的快速增加引发内部射频(RF)天线尺寸与功耗过大问题,如何降低天线数量、尺寸并增强信号接收性能与频宽是当前工程师面临的问题。射频工程师对射频前端器件提出了更

    发布时间:2013-12-13 00:00:00
  • 中科院半导体所制备成功RF MEMS振荡器

    基于微纳谐振器的MEMS振荡器,具有高频、高品质因子(>103),可与IC电路在同一芯片集成,实现系统小型化,在军民两用高技术领域具有非常广泛的应用。

    发布时间:2014-01-13 00:00:00
  • RF MEMS关键技术与器件

    文章介绍了RF MEMS的基本概念、基本特征与关键工艺技术。文章在介绍了RF—MEMS元器件的基础上,对RF MEMS与MMIC进行了比较,分析了RF MEMS需解决的重点问题。最后对RF MEMS的发展前景进行了展望。

    发布时间:2014-01-17 00:00:00
  • ADI公司将RF MEMS开关技术真正投入商用

    ADI宣布在开关技术领域取得的重大突破,提供用户期盼已久的替代产品,以取代100多年前即被电子行业采用的机电继电器设计。由继电器导致的多种性能局限早在电报问世之初就已存在,ADI公司全新的RF-MEMS开关技术解决了此类局限,从而能够开发出更快速、小巧、节能、可靠的仪器仪表。

    发布时间:2016-11-15 00:00:00
  • 5G射频前端 | RF MEMS与RF SOI 两种工艺谁才是主流?

    即便不考虑RF设备和工艺类型的变革,当今RF市场的挑战也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司总裁兼首席执行官Paul Dal Santo表示:“几年前,RF还是一项相当简单的设计,但是现在,事情已经发生了大大的改变。首先,您的射频前端必须处理范围非常广泛的频带,从600MHz一直延伸到3GHz。

    发布时间:2017-07-05 00:00:00
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