TriQuint 推出最新18W 氮化镓 (GaN) 封装 HEMT 射频功率晶体管(T1G6001528-Q3 ),实现更高的输出功率和出色的效率 —6GHz下的效...
中国 深圳 — 2012年2月23日 --- 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司 (纳斯达克代码:TQNT) 今天宣布,推出业内最小...
中国 深圳 — 2012年2月23日 --- 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司 (纳斯达克代码:TQNT) 今天宣布,以体积比上代...
中国 深圳 — 2012年2月24日---技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司 (纳斯达克代码:TQNT) 今天宣布,推出两款紧凑型数...
帮助有线电视和宽带厂商简化射频设计、减少物料清单和提高性能 中国 上海 - 2012年3月21日 - 全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服...
最新基站射频声表面波可简化先进LTE及WCDMA网络中的射频设计 中国 上海- 2012年4月11 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQu...
为视频流和其他要求严格的多媒体应用提供更长工作距离和更高性能 中国 上海- 2012年6月19 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商T...
采用新封装的砷化镓(GaAs)低噪声放大器在400至2700 MHz应用中提供一流性能 中国 上海- 2012年8月7 日 - 技术创新的射频解决方...
中国 上海--2012年8月16 日--技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)宣布提供两款创新设计的TriAccess...
中国 上海- 2012年9月6 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出两款采用新封装的1W和...