背景
当前通信技术日新月异，CDMA2000，WCDMA等3G技术商用正酣，LTE，OFDM各种新技术又崭露头角。无论是正在大规模商用的3G技术，还是已经有的LTE,OFDM产品，都有一个共同的特征——多载波。而多载波信号必然带来高峰值因数或高峰均比。射频工程师的挑战来了，即如何准确测量输出功率和提高功率放大器的效率PAE。
为了帮助射频工程师迎接该挑战，Hittite公司给出了创新性解决方案，推出具有包络跟踪功能的均值检波器HMC1021LP4E,为其阵容强大的功率检波器家族新添一员干将。HMC1021LP4E提供两种输出形式，即RMSout均值输出和ETout包络输出。其中RMSout可以准确的测量输入信号的均值，而ETout则可以测量输入信号的包络，利用ETout的输出控制放大器的电源供给，则可以提高功率放大器的效率PAE。
HMC1021LP4E简介
HMC1021LP4E可以工作在DC-3.9GHz，动态范围高达70dB，可检测包络带宽高达150MHz。可应用在发射通道功率控制，接收链路自动增益控制等。其包络跟踪功能又使其可以用来提高功率放大器的PAE和线性。无论对于3G技术还是LTE,OFDM技术，HMC1021LP4E都是功率检波的理想之选。
三：使用介绍
1，测试输入信号的均值功率 用仪表读取RMSout管脚的电平值。纹波响应和上升沿下降沿时间响应上，Hittite公司创新地引入了软件调试方法，将传统的改变外部电容的方法，改用软件设置SCI值来实现的方式，将工程师从繁杂的硬件调试工作中解脱出来，提高了工作效率。而且Hittite给出了SCI值和响应时间的如下图表供客户参考。
另外RMSout输出曲线的截止点和斜率也可以调整。在RMSout和Vset端选择合适阻值的电阻可以改变输出曲线的斜率，而改变Vset端的直流电压可以调整输出曲线的截止点。
2，跟踪输入信号的包络 ETout输出，可以跟踪输入信号的包络，当利用该输出来控制功率放大器的电源，可以提高功率放大器的PAE，降低电源的功耗。当前基站厂家采用的主流Doherty技术，用以提升功率放大器的PAE。若将包络跟踪与辅助放大器的电源供给相结合，则可以进一步提升功率放大器的PAE。下图是利用包络跟踪优化了的Doherty放大器与传统的Class AB放大器PAE的比较。可以看到，在ACLR都为30dBc的情况下，取得15.2%的效率提升，效果非常显著。
3，Layout的注意事项 射频输入端耦合电容尽量靠近IN+ ,IN- 管脚；芯片的地焊接在PCB上有过孔的射频地，要良好散热；芯片的地要与射频地连通；加电源管脚的去耦电容尽量靠近芯片的电源管脚。
样品及评估板现在已经可以提供，详情请联系Hittite中国区授权代理商世强电讯。
讯泰微波（Hittite Microwave)
Hittite Microwave公司成立于1985年，专业设计并生产射频、微波应用领域的模拟/数字IC, MIC集成模块（可覆盖DC到110GHz频率范围）以及仪器设备。Hittite的RFIC/MMIC产品则利用MESFET、PHEMT、HBT设计，应用在GaAs、InGaP/GaAs、InP、SOI、SiGe半导体加工过程中。Hittite为满足特殊需要整合多种功能，同时提供高集成IC、MCM以及其它低集成混合电路。Hittite采用主流的半导体与封装技术、独特的数字/射频平衡综合技术，为客户提供经济实惠、操作便捷的产品。
世强电讯
世强电讯是全球数十家著名半导体企业在大中国区的重要分销商，同时也是众多电子制造和研发企业的重要供应商，产品业务广泛覆盖通信设备、工业、手持数码、汽车电子、个人电脑及外设、消费电子等领域。如今，世强240余名员工在全国11个办事处及分公司向客户提供专业的服务。
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