TriQuint推出四款新放大器,采用创新封装来简化组装

2012-12-20 来源:微波射频网 字号:

中国 上海 - 2012年12月20 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款采用新封装的砷化镓(GaAs) pHEMT 射频功率放大器模块,提供高输出功率、增益及效率,覆盖频率范围为6-38 GHz。 其中每款新放大器的封装都更方便进行组装,包括支持多层印刷电路板布局的设计。TriQuint新的放大器是用于点对点微波无线电和极小口径终端 (VSAT) 等商业应用的理想选择。

这四款新放大器包括:TGA2502-GSG(3.6W [CW],13-16 GHz,适用于VSAT系统);TGA2575-TS(3W [CW],32-38 GHz,适用于通信系统);TGA2704-SM(7W [CW],9-11 GHz,适用于微波无线电)以及TGA2710-SM(7W [CW],9.5-12 GHz,亦适用于微波无线电)。

TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab产品系列的最新成员,它令制造商更易于通过将半导体FET或MMIC放大器放在均热器上来处置晶粒级器件和组装元件。 通过真空回流焊工艺建立晶粒和基础之间的焊接。 这些焊接几乎无空隙且热稳定性很高。 TGA2575-TS和所有die-on-tab产品都在工厂进行严格检验,来提供全面质量保证和更高的有效产率。

技术规格: 新封装砷化镓pHEMT解决方案

TGA2502-GSG 13-16 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:2.8W;20dB大信号增益;25dB小信号增益;效率为25%;在1.3A为7V;14引线法兰贴装封装。
TGA2575-TS 32-38 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:3W;19dB小信号增益;功率附加效率为22%;在2.1A为6V。TGA2575晶粒贴装在一个8.92x5.31mm的均热器上。
TGA2704-SM 9-11 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W;19dB大信号增益;22dB 小信号增益;功率附加效率为40%;在1.05A为9V;7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。
TGA2710-SM 9.5-12 GHz GaAs pHEMT射频功率放大器:7W;19dB大信号增益;20dB小信号增益;功率附加效率为36%;在1.05A为9V;7x7x1.27mm无铅表面贴装封装。
 
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关于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)是提供世界领先水平的通信、国防和航空航天公司创新射频解决方案与代工服务的全球领先供应商。世界各地的人们和组织都需要实时、不间断的通信联系;TriQuint产品可帮助降低用于提供关键语音、数据和视频通信的互联移动设备与网络的成本和提高它们的性能。凭借业内最广泛的技术系列、公认的研发领先地位以及在大规模制造领域的专业知识,TriQuint生产基于砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、声表面波(SAW) 和体声波(BAW) 技术的标准及定制产品。该公司在美国拥有多家已通过ISO9001认证的制造工厂,在哥斯达黎加拥有生产中心,在北美地区和德国拥有设计中心。

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