ROHM率先量产肖特基二极管碳化硅MOSFET模块

2013-07-15 来源:微波射频网 字号:

半导体制造商ROHM株式会社已正式将适用于工业设备、太阳能发电功率调节器(Power conditioner)等变流器/转换器(inverter/converter)的碳化硅(SiC)MOSFET模块(额定规格1200V/ 180A)投入量产。据ROHM称,该模块首创业界先例,采用了将功率半导体组件内建于碳化硅MOSFET之结构,将额定电流提高至180A,如此一来,应用范围更广,还能有效协助各种设备达到低功耗及小型化。

ROHM已于2012年3月领先业界,正式投入“全碳化硅功率模块”(额定规格1200V/100A)的量产,此一产品完全使用碳化硅作为功率半导体的组件结构,虽然目前还在工业设备应用领域推广中,但市场上极度期盼此类产品既能够维持小体积同时又能产生大电流,因此本产品的研发备受期待。

要产生大电流,通常会采取增加MOSFET的配置数量等方式,此外,还必须在设备上加装二极管等整流组件,因此要维持小型体积十分困难。

为解决本体二极管(Body diode)的通电劣化问题,ROHM采用了第2代的碳化硅MOSFET,成功地研发出不需以二极管作为整流组件的碳化硅功率模块(碳化硅MOSFET模块),藉由增加碳化硅MOSFET的配置面积,让模块的体积维持不变,并同时达成大电流的目标。

内建碳化硅MOSFET可改善结晶缺陷相关的制程与组件结构,因此能成功地克服本体二极管(Body diode)等组件在可靠性上的问题。

相较于一般转换器所使用的硅质IGBT,可减少损耗达50%以上,除了降低损耗外,还能达到50kHz以上的高频,也能使用较小型的周边零件。

特点

1. MOSFET单体仍维持切换特性,同时创造出无尾电流、低功耗之切换质量

即使不使用肖特基二极管,仍能达到和传统产品同级的切换特性,而且不会产生在硅质IGBT上所常见的尾电流,因此可成功降低损耗达50%以上,有效为设备的节能化带来帮助。此外,高达50kHz以上的切换频率,也是硅质IGBT所无法达成的,因此就连外围设备也能一举实现小型化与轻量化的目标。

2. 可逆向导通,因此能够创造出高效率的同步整流电路

一般来说,硅质IGBT组件无法被逆向导通,而碳化硅MOSFET因为是本体二极管,因此随时可逆向导通。此外,加入闸极讯号后,即可让MOSFET进行逆向导通,相较于只使用二极管的方式,更能够达到低电阻目标。利用此种逆向导通特性所衍生出来的高效率同步整流技术,让产品即使在1000V以上的电压时,也能创造出高于二极管整流方式之绝佳效率。

3. 解决本体二极管的通电劣化问题

即使通电时间超过1000小时,特性亦不劣化

本体二极管具有通电时会使缺陷扩大的特性,因此ROHM由制程及组件结构两方面着手,成功地解决发生缺陷的原因。

一般产品只要超过20小时,导通(ON)电阻就会大幅增加,不过,本产品即使通电时间超过1000小时,导通(ON)电阻也不会增加。

本产品的生产地点为ROHM株式会社总公司工厂(位于日本京都市),目前已经开始样品出货,并预定自12月开始正式量产及出货。

专有名词解释

- 本体二极管(Body diode)
在MOSFET的结构上,于其内部所形成的二极管,当变流器动作时,电流会通过此二极管,因此需要较低的VF (顺向电压)或高速回复特性。

- 尾电流(Tail current)
亦即IGBT在关机时经常会发生的瞬时电流(Transient current),因电洞的蓄积时间而发生。在此期间将产生汲极电压,因此会造成极大的切换损耗。

- IGBT (「Insulated Gate Bipolar Transistor」一词之缩写,中文翻译为: 绝缘闸双极晶体管)
除了电子外,还可藉由电流通过电洞的方式而达成低导通(ON)电阻的一种功率晶体管,由于电洞的蓄积时间,因此无法高速驱动,并且会出现切换损耗较大的问题。

- 顺向电压(VF:Forward Voltage)
亦即当顺向电压通过时,二极管所产生的电压值,数值越小,表示功耗越少。

- 导通(ON)电阻
亦即功率组件动作时的电阻值,此为影响功率MOSFET性能最重要的一项参数。数值越低,代表性能越佳。

主题阅读: 功率模块  ROHM  肖特基二极管