TriQuint推出多款国防和商业应用的砷化镓和氮化镓器件

2013-12-18 来源:微波射频网 字号:

TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)在12月2日至5日美国佛罗里达州奥兰多举办的国防制造商会议(DMC)上发布了新的氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)产品解决方案,包括新的移相器、高功率限制器和GaN MMIC放大器。新产品可在多个国防和商业应用中显著提升系统性能、增强效率、减少器件数量。

TriQuint新推出的三个高功率限制器的处理功率能达到100W,并可防止敏感电路过载。低且平的漏电水平实现低噪声放大器,低插入损耗实现最大效率和经过减小的噪声。这些器件非常适用于商用和国防部用雷达接收链路保护。

Part Number Frequency (GHz) Pin Handling Insertion Loss (dB) Leakage
(dBm)
Return Loss (dB) ECCN
TGL2205 1-6 50W < 0.5 < 16 12 EAR99
TGL2206 2-4.5 70W < 0.5 < 15 15 EAR99
TGL2207 2-5 70W < 0.5 < 16 15 EAR99

TriQuint新推出的两个新移相器的频段覆盖包括X和Ku波段在内的6-18GHz范围,采用更少的器件即可提供比竞争方案更宽的频率范围。它们的6位数字逻辑确保了平滑、连续可变的时间延迟功能。它们的封装形式易于装配在雷达、电子战和卫星通信应用中。

Part Number Frequency (GHz) Bits RMS-AE (dB) RMS-PE (deg) IL (dB) Input P1dB IIP3(dBm) Vc ECCN
TGP2105-SM 6-18 6 0.45 4 < 10 > 25 > 41 0 / +5 EAR99
TGP2107-SM 6-18 6 0.55 5 < 12 > 25 > 41 -5 / 0 EAR99

TriQuint公司推出的新GaN放大器具有广泛的应用,可以超高的效率输出更大的功率,以支持更小的系统和减少器件数量。TriQuint公司新的裸片级功率放大器具有卓越的宽带功率和效率,采取两种新型封装的50W放大器支持主要雷达(9-10GHz)和卫星通信(7.9-8.4GHz)频率。

Part Number Frequency (GHz) Psat
(W)
P1dB(dBm) LS Gain (dB) SS Gain (dB) PAE 
(%)
Bias 
(V/mA)
ECCN
TGA2578 2-6 30 - 22 27 40 28 / 400 ITAR
TGA2586-FL 7.9-8.4 50 43 25 14 36 24 / 2.24A 3A001.b.3.b
TGA2312-FL 9-10 50 - - 13 38 24 / 2.4A 3A001.b.3.b

TriQuint公司的Spatium™高功率放大器提供一个高度可靠、可有效替代行波管波放大器的解决方案,适用于商业和国防领域的通信、雷达和电子战等领域。通过享有专利的共轴空间组合技术,Spatium使用GaN和GaAs MMIC放大器,极大地改进了射频功率和效率,输出射频功率从数百至数千瓦。

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