科锐推出低成本雷达和数据链路用塑封氮化镓晶体管

2014-05-26 来源:微波射频网 字号:

近日,科锐公司(Cree, Inc. ,Nasdaq: CREE)推出业内最大功率连续波(CW)射频氮化镓(GaN)高电子迁移率(HEMT)晶体管,该晶体管采用双扁平无引脚(DFN)封装方式。该新型6 W和25 W器件主要针对的是成本敏感、功率小于100瓦的商用雷达和数据链路放大器市场,可在C和X波段有效替代效率较低的砷化镓(GaAs)器件,也可有效替代天气、海洋和监视等商用雷达所用的寿命较短的真空管器件。

科锐推出低成本雷达和数据链路用塑封氮化镓晶体管

基于科锐已经验证的40 V、0.25µm栅长高频工艺,Cree®氮化镓DFN晶体管可将砷化镓内部配备场效应晶体管(IMFET)的饱和输出功率(PSAT)效率和增益提升2倍,而封装尺寸仅为同等功率和频率砷化镓器件体积的1/20。在企业、点对点和机载通信网络的大容量微波数据链路中,新的晶体管拓展了通信范围,并提供2倍于砷化镓放大器的线性效率。高效率为射频器件设计人员提供了灵活性,可减少放大器的体积和重量,节约运行和整个寿命周期内的成本。

“多年以来,商用微波雷达发射器一直困扰于真空放大器有限的寿命,这导致巨大的维护成本。从历史上看,大容量数据链路受限于砷化镓IMFET的低效。”科锐公司的射频销售和市场部总监Tom Dekker 表示“通过以可以承受的价格提供卓越的效率和功率能力,我们的氮化镓DFN晶体管首次在低功耗、成本敏感的商用系统中实现了对这些传统技术的替代。”

新的DFN器件也可作为科锐公司的CGHV96100和CGHV96050F2全匹配场效应管的驱动而用于X波段,使得输出级和驱动级晶体管能够工作在同样的电压水平上,与混合电压晶体管阵列相比,这带来方便的规律的功率分配,可有效节约电路板空间。

CGHV1F006S(6 W)和CGHV1F025S(25 W)氮化镓DFN晶体管已可用于C波段和X波段的试样和设计参考。安捷伦公司的ADS和AWR 公司的Microwave Office仿真器也提供该器件的大信号模型。

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