宜普电源扩大高性能、宽间距的的氮化镓场效应晶体管系列

宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN)功率晶体管，进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

与具有相同的电阻的先进硅功率MOSFET器件相比，这些全新晶体管的尺寸小很多及其开关性能高出很多倍，是高频DC/DC转换器、DC/DC及AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器及D类音频放大器等应用的理想器件。

供货详情

以上3个产品皆可以立即透过北高智科技公司及Digi-Key公司购买。

宜普电源转换公司简介

宜普公司（epc-co.com.cn）是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN?)场效应晶体管直流- 直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、光学遥感技术（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。